[发明专利]NiMnZn系铁氧体无效
| 申请号: | 200910175090.7 | 申请日: | 2009-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN101712547A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
| 发明(设计)人: | 森健太郎;青木卓也 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;H01F1/34;H01F1/36 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | nimnzn 铁氧体 | ||
1.一种NiMnZn系铁氧体,其特征在于:
作为主成分,含有:以Fe2O3换算为54.0~57.5摩尔%的氧化铁, 以ZnO换算为2.0~7.0摩尔%的氧化锌,以NiO换算为0.5~4.7摩尔 %的氧化镍,和余量的以MnO换算的氧化锰,
相对于所述主成分,作为副成分,含有:以SiO2换算为100~1000 重量ppm的Si,以CaCO3换算为800~3000重量ppm的Ca,以Nb2O5换算为520~1000重量ppm的Nb,
铁氧体晶粒的平均晶体粒径为2.1~8.5μm,
烧结密度为4.9g/cm3以上且5.00g/cm3以下。
2.如权利要求1所述的NiMnZn系铁氧体,其特征在于:
相对于所述主成分,作为副成分,含有:以SiO2换算为160~940 重量ppm的Si,以CaCO3换算为900~2900重量ppm的Ca,以Nb2O5换算为560~960重量ppm的Nb。
3.如权利要求1所述的NiMnZn系铁氧体,其特征在于:
在2MHz、50mT、25℃下测得的磁损耗Pcv1为3000kW/m3以下, 并且在25℃下的饱和磁通密度Bs为520mT以上。
4.如权利要求1所述的NiMnZn系铁氧体,其特征在于:
在2MHz、50mT、100℃下测得的磁损耗Pcv2为2700kW/m3以 下,并且在100℃下的饱和磁通密度Bs为450mT以上。
5.如权利要求1所述的NiMnZn系铁氧体,其特征在于:
在1MHz、25℃下的起始磁导率μi为800以上。
6.一种电子部件,其特征在于:
该电子部件通过将权利要求1所述的NiMnZn系铁氧体作为芯, 在该芯上实施绕线而制得。
7.一种开关电源,其特征在于:
将权利要求6所述的电子部件用作变压器和/或扼流圈,以2MHz 以上的开关频率进行动作。
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