[发明专利]封装工艺及封装结构有效

专利信息
申请号: 200910174057.2 申请日: 2009-10-20
公开(公告)号: CN102044447A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 沈启智;陈仁川;潘彦良 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L25/00;H01L23/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 工艺 结构
【权利要求书】:

1.一种封装工艺,包括:

提供承载板,该承载板上配置有粘着层;

将多个第一半导体元件配置于该粘着层上,且该多个第一半导体元件彼此分离并分别透过该粘着层固定于该承载板上;

在该承载板上形成第一封装胶体,该第一封装胶体覆盖该多个第一半导体元件的侧壁并填满该多个第一半导体元件之间的间隙,以使该多个第一半导体元件与该第一封装胶体形成芯片阵列板;

将多个第二半导体元件分别倒装接合至该多个第一半导体元件上;

在该芯片阵列板上形成第二封装胶体,该第二封装胶体至少覆盖该多个第二半导体元件的侧壁并填满该多个第二半导体元件之间的间隙;

分离该芯片阵列板与该粘着层;以及

沿着该多个第二半导体元件之间的间隙切割该第二封装胶体与该第一封装胶体,以形成多个芯片封装单元。

2.如权利要求1所述的封装工艺,其中各该第一半导体元件具有多个直通硅晶穿孔结构,且该封装工艺还包括:

在形成该芯片阵列板之后,研磨该芯片阵列板,以薄化该芯片阵列板并露出各该第一半导体元件的该多个直通硅晶穿孔结构的端面。

3.如权利要求2所述的封装工艺,其中研磨该芯片阵列板的方法包括:

研磨该芯片阵列板直到该芯片阵列板的厚度实质上小于或等于4密尔。

4.如权利要求1所述的封装工艺,还包括:

在形成该芯片阵列板之后,在该多个第一半导体元件上分别形成多个彼此分离的第一底胶,其中各该第一底胶覆盖对应的该第一半导体元件以及该第一封装胶体的围绕对应的该第一半导体元件的部分,且在将该多个第二半导体元件分别倒装接合至该多个第一半导体元件上时,各该第二半导体元件的多个导电凸块通过对应的该第一底胶而与对应的该第一半导体元件接合。

5.如权利要求1所述的封装工艺,还包括:

将该芯片封装单元配置于线路基板上,以使该第一半导体元件电性与结构性连接该线路基板。

6.如权利要求5所述的封装工艺,还包括:

在该线路基板上形成第二底胶,以使该第二底胶位于该芯片封装单元的该第一半导体元件与该线路基板之间并包覆该第一半导体元件的多个导电凸块。

7.如权利要求5所述的封装工艺,还包括:

在该线路基板上形成第三封装胶体,该第三封装胶体至少覆盖该芯片封装单元的侧壁。

8.一种封装结构,包括:

第一半导体元件;

第一封装胶体,包覆该第一半导体元件的侧壁;

第二半导体元件,配置于该第一半导体元件与部分该第一封装胶体上,且该第二半导体元件的尺寸大于该第一半导体元件的尺寸;以及

第二封装胶体,至少覆盖该第二半导体元件的侧壁以及该第一封装胶体,其中该第一封装胶体与该第二封装胶体为各自成型。

9.如权利要求8所述的封装结构,其中该第一封装胶体的侧壁切齐于该第二封装胶体的侧壁。

10.如权利要求8所述的封装结构,其中该第一封装胶体的朝向该第二半导体元件的第一顶面切齐于该第一半导体元件的朝向该第二半导体元件的第二顶面。

11.如权利要求10所述的封装结构,其中该第一封装胶体的厚度实质上等于该第一半导体元件的厚度。

12.如权利要求8所述的封装结构,其中该第二半导体元件具有位于该第二半导体元件与该第一半导体元件之间的多个导电凸块,且该封装结构还包括:

底胶,配置于该第二半导体元件与该第一半导体元件之间以及该第二半导体元件与该第一封装胶体之间,以包覆该第二半导体元件的该多个导电凸块。

13.如权利要求8所述的封装结构,其中该第一半导体元件的厚度实质上小于或等于4密尔。

14.如权利要求8所述的封装结构,其中该第二封装胶体更覆盖该第二半导体元件的远离该第一半导体元件的顶面。

15.如权利要求8所述的封装结构,其中该第二封装胶体暴露出该第二半导体元件的远离该第一半导体元件的顶面。

16.如权利要求8所述的封装结构,其中该第一半导体元件的远离该第二半导体元件的底面上配置有多个导电凸块。

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