[发明专利]半导体芯片及半导体晶片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

元件形成区，其形成在基板上；

划线区，其围绕所述元件形成区；以及

密封环区，其位于所述元件形成区与所述划线区之间，并且围绕 所述元件形成区，

其中，所述元件形成区、所述密封环区和所述划线区包括在所述 基板上层压的多个层间介电膜，

其中，所述划线区的第一边缘和第二边缘分别在第一方向和与所 述第一方向交叉的第二方向上延伸，使得所述第一边缘和所述第二边 缘在划线的拐角区域交叉，并且

其中，在所述拐角区域的划线区中，局部地提供由第一和第二拐 角衬垫以及互连所述拐角衬垫的通孔构成的结构，使得所述第一和第 二拐角衬垫的每一个包括沿着在所述第一边缘延伸的第一部分和沿着 所述第二边缘延伸的第二部分以便形成局部地设置在所述划线的拐角 区域中的L形，其中所述第一和第二拐角衬垫在层压方向上垂直地夹 持第一层间介电膜。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述元件形成区在 所述多个层间介电膜中具有布线，并且所述划线区中的所述拐角衬垫 位于与所述布线相同的层中。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述拐角衬垫由与 所述布线相同的材料构成。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述多个层间介电 膜被层压在所述拐角区域中，并且所述层间介电膜中的一些被垂直地 夹持在由所述通孔互连的所述拐角衬垫之间。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中，所述拐角衬垫中的三层或更多层被层压在所述拐角区域中 的基板上，分别夹持所述层间介电膜；以及

其中，最上层拐角衬垫通过所述通孔与下层中的拐角衬垫相连接。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中，由多孔有机材料制成的多孔介电膜作为所述层间介电膜被 提供在所述拐角区域中的基板上，并且所述多孔介电膜分别由所述拐 角衬垫夹持；以及

其中，夹持最上层多孔介电膜的拐角衬垫由所述通孔来互连。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中，所述拐角衬垫中的三层或更多层被层压在所述拐角区域中， 分别夹持所述层间介电膜；以及

其中，全部拐角衬垫都由所述通孔来互连。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述结构被分别提 供在所述拐角衬垫中的两个或更多个中，并且被相互间隔。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，通过所述通孔连接 的所述拐角衬垫包括两个线性部，所述两个线性部沿着限定所述拐角 区域的两条边缘延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，与所述部分在相 同的方向上延伸的所述通孔被并排布置成多个队列。

11.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述线性部彼此 交叉并且形成L形。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，通过所述通孔连 接的所述拐角衬垫延伸超过与所述拐角区域相邻近的元件形成区的边 缘的延长线。

13.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述拐角衬垫布 置在所述半导体芯片的拐角与所述密封环区的拐角之间。

14.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，通过所述通孔连 接的所述拐角衬垫包括面对所述半导体芯片的拐角而延伸的斜线部。