[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第1导电型半导体基板；

在上述半导体基板上形成的第2导电型区域；

在上述第2导电型区域内形成的第1导电型主体区域；

在上述第2导电型区域内、且在上述第1导电型半导体基板和 上述第1导电型主体区域之间与上述第1导电型主体区域相接触而 形成的第1导电型埋入扩散区域；

在上述第1导电型主体区域内形成的第2导电型源区域和第1 导电型主体接触区域；

在上述第2导电型区域内的与上述第1导电型主体区域相离的 位置上形成的第2导电型漂移区域；

在上述第2导电型漂移区域内形成的第2导电型漏区域；

在上述第1导电型主体区域上形成的栅绝缘膜；以及

在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，

其中，在所述半导体装置的平面图中，在垂直于源-漏方向的 方向上，上述第1导电型埋入扩散区域的从上述第1导电型主体区 域的延长距离(X’)大于上述栅电极的从上述第1导电型主体区域 的延长距离(Y’)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述半导体装置的平面图中，垂直于源-漏方向的方 向上的上述第1导电型埋入扩散区域的从上述第1导电型主体区域 的延长距离(X’)大于沿着源-漏方向的上述第1导电型埋入扩散 区域的从上述第1导电型主体区域的延长距离(X)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述半导体装置的平面图中，垂直于上述源-漏方向 的方向上的上述栅电极的从上述第1导电型主体区域的延长距离 (Y’)小于沿着源-漏方向的上述栅电极的从上述第1导电型主体 区域的延长距离(Y)。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第2导电型区域由扩散区域或者外延层形成。

5.一种半导体装置制造方法，包括：

准备第1导电型半导体基板的工序；

在上述第1导电型半导体基板上形成第2导电型区域的工序；

在上述第2导电型区域内形成第1导电型主体区域的工序；

在上述第2导电型区域内、且在上述第1导电型半导体基板和 上述第1导电型主体区域之间与上述第1导电型主体区域相接触而 形成第1导电型埋入扩散区域的工序；

在上述主体区域内形成第2导电型源区域和第1导电型主体接 触区域的工序；

在上述第2导电型区域内的与上述第1导电型主体区域相离的 位置上形成第2导电型漂移区域的工序；

在上述第2导电型漂移区域内形成第2导电型漏区域的工序；

在上述第1导电型主体区域上形成栅绝缘膜的工序；和

在上述栅绝缘膜上形成栅电极的工序，

其中，在所述半导体装置的平面图中，在垂直于源-漏方向的 方向上，上述第1导电型埋入扩散区域的从上述第1导电型主体区 域的延长距离(X’)大于上述栅电极的从上述第1导电型主体区域 的延长距离(Y’)。

6.根据权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于：

其中，在所述半导体装置的平面图中，垂直于上述源-漏方向 的方向上的上述第1导电型埋入扩散区域的从上述第1导电型主体 区域的延长距离(X’)大于沿着源-漏方向的上述第1导电型埋入 扩散区域的从上述第1导电型主体区域的延长距离(X)。

7.根据权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于：

其中，在所述半导体装置的平面图中，垂直于上述源-漏方向 的方向上的上述栅电极的从上述第1导电型主体区域的延长距离 (Y’)小于沿着源-漏方向的上述栅电极的从上述第1导电型主体 区域的延长距离(Y)。

8.根据权利要求5所述的半导体装置制造方法，其特征在于：

上述第2导电型区域由扩散区域或者外延层形成。