[发明专利]晶体取向陶瓷的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体取向陶瓷的制造方法。

背景技术

以往，作为晶体取向陶瓷的制造方法提案有，例如，在板状并成长为特定 晶体面的主体材料中添加客体材料和添加剂，以主体材料取向的方式成形，进 行加热烧结的方法等(专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开平11-60333号公报

专利文献2：日本特开2004-300019号公报

发明内容

但是，在该专利文献1、2中记载的晶体取向陶瓷的制造方法中，板状并 发育成特定晶体面的材料是具有层状钙钛矿型结构的特定组成，由于不考虑其 它组成，有不能提高压电/电致伸缩特性的情况。另外，在制造板状粒子时， 需要添加添加剂等，有不是希望的组成的情况。

本发明是鉴于这样的课题而完成的发明，其主要目的是提供一种可以进一 步提高特性的晶体取向陶瓷的制造方法。

为达成上述目的进行了精锐的研究，其结果为，本发明者们发现在溶剂中 分散大致立方体形状粒子的仿立方体形状粒子，在规定的面方向上向基体排列 该分散的仿立方体形状粒子，如果和基质粒子一起烧成，可以提高晶体的取向 度，伴随此进一步提高陶瓷的特性(例如，压电/电致伸缩特性等)，从而完成 本发明。

即，本发明的晶体取向陶瓷的制造方法包括：

制造作为大致为立方体形状粒子的仿立方体形状粒子的粒子制造工序；

在溶剂中分散所述制作的仿立方体形状粒子的分散工序；

在规定的基体上直接或间接地形成在规定的面方向上使所述分散的仿立 方体形状粒子排列，和由调整到希望组成的基质粒子所形成的基质部的粒子部 形成工序；

通过对在所述基体上形成的种子部和基质部进行烧成，使含在该基质部中 的基质粒子的晶体方位模仿该种子部中含有的在所述规定的面方向上排列的 仿立方体形状粒子的晶体方位的烧成工序。

在该晶体取向陶瓷中，可以进一步提高特性。这里，例如，在提高晶体的 取向性时，有时使用形状各向异性(纵横比)大的板状粒子，在该板状粒子的 晶体方位上，模仿基质粒子的晶体方位。但是，该制造方法中，制造纵横比更 大的板状粒子，是进一步增加晶体取向性的条件，所以为了提高晶体取向性， 就必须需要烦杂的处理。在这里，通过面方向上排列仿立方体形状粒子，不使 用板状粒子，就可以模仿基质粒子的晶体方位，可以进一步容易地提高晶体取 向性。由此，例如推测为可以进一步提高压电/电致伸缩特性等。这里，“在基 体上间接地形成”是指在基体上隔着其它的部件(例如，电极等)而形成。

附图说明

图1是表示具备压电/电致伸缩元件20的传动装置10一例的说明图。

图2是表示压电/电致伸缩元件20制造方法一例的说明图，图2(a)是第 1电极形成工序后的图，图2(b)是第1粒子部形成工序的图，图2(c)是 第2粒子部形成工序的图，图2(d)是从浆料中取出的图，图2(e)是烧成 工序后的图，图2(f)是第2电极形成工序后的图。

图3是在第1电极22上牢固附着仿立方体形状粒子31的示意图。

图4是表示其它压电/电致伸缩元件20制造方法一例的说明图，图4(a) 是第1电极形成工序后的图，图4(b)是第2粒子部形成工序的图，图4(c) 是第1粒子部形成工序的图，图4(d)是从浆料中取出的图，图4(e)是烧 成工序后的图，图4(f)是第2电极形成工序后的图。

图5是表示其它晶体取向陶瓷30C制造方法的说明图，图5(a)是抗蚀 剂层38形成工序的图，图5(b)是种子部32形成工序的图，图5(c)是基 质部34形成工序的图，图5(d)是烧成工序后的图。

图6是其它压电/电致伸缩元件20D的说明图。

图7是实施例1的X线衍射的测定结果。

符号说明

10、10B：传动装置，12：基体，14：空间部，20、20B、20D：压电/电 致伸缩元件，22：第1电极，22a、24a：薄片，24：第2电极，26：第3电极， 30、30B、30D：压电/电致伸缩体，30C：晶体取向陶瓷，31：仿立方体形状 粒子，32：种子部，33：基质粒子，34：基质部，36：取向晶体，38：抗蚀剂 层，39：对向电极。

具体实施方式