[发明专利]晶体取向陶瓷的制造方法

权利要求书

1.一种晶体取向陶瓷的制造方法，其特征在于，包括：

粒子制造工序，即制造大致为立方体形状粒子的仿立方体形状粒子；

分散工序，即在溶剂中分散所述制作的仿立方体形状粒子；

粒子部形成工序，即在规定的基体上直接或间接地形成种子部和基质部，所述种子部为在规定的面方向上排列所述分散的仿立方体形状粒子而形成，所述基质部为由调整到希望的组成的基质粒子而形成；

烧成工序，即通过对在所述基体上形成的种子部和基质部进行烧成，使含在该基质部中的基质粒子的晶体方位模仿该种子部中含有的在所述规定的面方向上排列的仿立方体形状粒子的晶体方位，

所述大致为立方体形状粒子是指，其轴比为1.0～1.1，此外立方体的边或棱含有全体边的10％以上的直线部分的粒子。

2.根据权利要求1所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，在所述基体上形成所述种子部和所述基质部时，在所述基体的表面侧排列所述仿立方体形状粒子而形成所述种子部之后，在该仿立方体状粒子上配置所述基质粒子，形成所述基质部。

3.根据权利要求2所述的晶体取向陶瓷制造方法，其特征在于，

包括在所述粒子部形成工序前在所述基体上形成电极的电极形成工序，

在所述粒子部形成工序中，使用所述形成的电极并由电泳法在位于所述基体表面侧的所述电极上形成所述种子部。

4.根据权利要求2或3所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，在所述基体表面侧散布所述仿立方体形状粒子而形成所述种子部，将所述基质粒子填充到该散布的仿立方体形状粒子的缝隙间，形成所述基质部。

5.根据权利要求1所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，在所述基体上形成所述种子部和所述基质部时，在所述基体的表面侧排列所述基质粒子而形成所述基质部，在该形成的基质部上排列所述仿立方体形状粒子，形成所述种子部。 

6.根据权利要求5所述的晶体取向陶瓷制造方法，其特征在于，

包括在所述粒子部形成工序前在所述基体上形成电极的电极形成工序，

在所述粒子部形成工序中，使用所述形成的电极并由电泳法在位于所述基体表面侧的所述电极上形成所述基质部。

7.根据权利要求5或6所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，在所述基质部表面散布所述仿立方体形状粒子而形成所述种子部，在该散布的仿立方体形状粒子的缝隙间进一步填充所述基质粒子。

8.根据权利要求4所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，通过在表面的一部分形成没有形成该仿立方体形状粒子的掩模部，形成散布有该仿立方体形状粒子的所述种子部。

9.根据权利要求1或2所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述分散工序中，通过在所述仿立方体形状粒子的表面吸附纳米粒子来改变带电状态，来分散该仿立方体形状粒子。

10.根据权利要求1或2所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述分散工序中，通过在所述仿立方体形状粒子的表面吸附高分子和表面活性剂中的至少1种以上来改变带电状态，来分散该仿立方体形状粒子。

11.根据权利要求1或2所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，形成含所述种子部的种子层和邻接于该种子部且含所述基质部的基质层，

在所述烧成工序中，在抑制所述基质粒子扩散的规定扩散抑制温度范围内，烧成所述种子层和所述基质层。

12.根据权利要求11所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子部形成工序中，以不同组成来形成所述种子部和所述基质部。

13.根据权利要求1或2所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子制作工序中，通过在溶剂中混合原料，在该溶剂的常压沸点以上的温度且常压以上的压力下进行处理的溶剂热法来制作所述仿立方体形状粒子。

14.根据权利要求13所述的晶体取向陶瓷的制造方法，其中，在所述粒子制作工序中，由以水为溶剂的溶剂热法的水热合成法，制作所述仿立方体形状粒子。