[发明专利]相移光刻掩模的设计和布局

权利要求书

1.一种用于制造具有材料层的集成电路的方法，所述层由布局描述，其 中使用相移来限定材料层，所述方法包括：

识别要使用相移限定的在布局中的多个图形，多个图形的每个包括多个 边；

将多个移相器形状布置在多个图形的边上，其中多个图形包括具有第一 边和第二边的第一图形，所述第一边与第二边接合，其中多个移相器形状包 括布置在第一边上的第一移相器形状和布置在第二边上的第二移相器形状， 第一移相器形状和第二移相器形状分开具有足够的大小来允许切口的最小的 距离；

根据相位相关性和建立多个移相器的成本向多个移相器形状分配相位； 并

精制该多个移相器。

2.按照权利要求1的方法，其中布置多个移相器形状还包括：限定最大 的移相器区域，所述最大移相器区域围绕布局中的多个图形，所述最大移相 器区域对应于在要布置多个移相器形状的布局上的位置。

3.按照权利要求1的方法，其中所述分配还包括：使用多个用于说明接 受特定的相位分配的相对质量的成本函数，所述多个成本函数包括下列的一 个或多个：内角成本函数、外角成本函数、三边成本函数、小移相器区域成 本函数、相位冲突成本函数，和多层成本函数。

4.按照权利要求1的方法，其中所述精制还包括下列的一个或多个：

合并在多个移相器中具有相同相位的相邻的移相器；

通过将角方形化而扩展在多个移相器中的移相器；

通过以主要或次要相位填充在相邻的移相器之间的空间而扩展在多个移 相器中的移相器；和

调整移相器形状以符合设计规则检查。

5.按照权利要求1的方法，还包括：使用多个图形和多个移相器限定多 个修整形状。

6.按照权利要求5的方法，还包括：

用多个移相器产生第一掩模数据文件；和

使用多个修整形状产生第二掩模数据文件。

7.按照权利要求1的方法，其中所述布置多个移相器形状还包括：使用 多个移相器形状的初始移相器形状，所述初始移相器形状包括叠加在矩形顶 部的梯形，其中所述矩形部分与图形边缘直接邻接。

8.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个移 相器限定该层的非存储器部分的至少80％。

9.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个移 相器限定该布局的至少90％。

10.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个 移相器限定该布局的关键路径中的所有图形。

11.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个 移相器限定在该布局中的所有图形，除了由于相位冲突而导致不相移的那些 图形之外。

12.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个 移相器限定除了测试结构之外的该布局中的全部内容。

13.按照权利要求1的方法，其中使用相移限定材料层还包括：用多个 移相器限定除了伪结构之外的该布局中的全部内容。