[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

说明书

本申请要求第10-2008-0087611号于2008年9月5日递交的韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体器件，更具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor)(CMOS)图像传感器及其制造方法。

背景技术

图像传感器是用来将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器的实例包括电荷耦合器件(Charge Coupled Device)(DDC)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。这些图像传感器由光接收区和逻辑区组成，其中，光接收区包括用来检测光的光电二极管，而逻辑区将检测到的光处理成电信号以便获得光学数据(optical data)。对于提高光学灵敏度(opticalsensitivity)的工作已经在进行中。

在CMOS图像传感器中，由于尺寸的像素减小，所以可能产生串扰(crosstalk)(串扰表示邻近的像素之间的光学信号的干扰)。串扰对CMOS图像传感器的质量产生了影响。

图1是示出了常规CMOS图像传感器的构造的视图。

参照图1，CMOS图像传感器包括半导体衬底110、器件隔离层115、光电二极管120和125、中间介电层(inter dielectric layer)130、金属线层140、钝化层150、滤色器层155、平坦化层160和微透镜165。

图2是图1中所示的邻近的光电二极管之间的串扰的说明性视图。

参照图2，金属线层140可以由多个金属线层组成，例如，第一金属线层210、第二金属线层220和第三金属线层230。

在上述的常规CMOS图像传感器中，传输至第一光电二极管120的一部分光学信号可以被金属线层140漫反射，从而被传输至邻近的第二光电二极管125。例如，传输至第一光电二极管120的一部分光学信号，即，侧入射光250从第二金属线层220的第一金属线212的顶部被反射，依次地，反射的侧入射光从第三金属线层230的底部被再反射，依次地，再反射的侧入射光从第二金属线层220的第二金属线214的顶部被重复地反射，从而被传输至邻近的第二光电二极管125。这可能会不可避免地(problematically)在邻近的光电二极管之间引起串扰。

发明内容

因此，本发明针对一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器及其制造方法基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或一个以上的问题。

本发明的一个目的在于提供一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器及其制造方法可以限制由于侧入射光相对于金属线的漫反射而引起的串扰的发生。

本发明的其他优点、目的和特征一部分将在下文中阐述，一部分对于本领域的普通技术人员而言通过下文的实验将变得显而易见或者可以从本发明的实践中获得。通过所写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构，可以了解和获知本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如在本文中所体现和概括描述的，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括：在半导体衬底中形成的光电二极管，在其中形成光电二极管的半导体衬底上形成的中间介电层，在中间介电层中形成的至少一个金属线层，在中间介电层中的金属线层上形成的减反射层(anti-reflection layer)，在中间介电层上形成的滤色器层，以及在滤色器层上形成的微透镜。

根据本发明的另一个方面，用于制造CMOS图像传感器的方法包括：在半导体衬底中形成光电二极管，在其中形成光电二极管的半导体衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成第一金属线层，第一金属线层包括一个堆叠在另一个之上的金属线和减反射层，在第一金属线层上形成第二介电层，在第二介电层上形成滤色器层以相应于光电二极管，以及形成微透镜以相应于滤色器层。

可以理解的是，本发明的上述总体描述和以下的具体描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合于此而构成本申请的一部分。本发明的示例性实施例连同描述都用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出了常规CMOS图像传感器的构造的视图；

图2是图1中所示的邻近的光电二极管之间的串扰的说明性视图；

图3是示出了根据本发明实施例的CMOS图像传感器的视图；