[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：

光电二极管，形成在半导体衬底中；

中间介电层，形成在其中形成所述光电二极管的所述半导体衬底上；

至少一个金属线层，形成在所述中间介电层中；

减反射层，形成在所述中间介电层中的所述金属线层上；

滤色器层，形成在所述中间介电层上；以及

微透镜，形成在所述滤色器层上。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述至少一个金属线层包括位于所述中间介电层中的一个在另一个之上堆叠的两个或两个以上的金属线层。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其中，所述减反射层仅覆盖每个所述金属线层的上表面。

4.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其中，所述减反射层覆盖每个所述金属线层的上表面和侧壁。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，所述减反射层为氮化硅层。

6.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：

在半导体衬底中形成光电二极管；

在其中形成所述光电二极管的所述半导体衬底上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成第一金属线层，所述第一金属线层包括一个在另一个之上堆叠的金属线和第一减反射层；

在所述第一金属线层上形成第二介电层；

在所述第二介电层上形成滤色器层以相应于所述光电二极管；以及

形成微透镜以相应于所述滤色器层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一金属线层的形成包括：

在所述第一介电层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上涂敷光反射防止材料；

在所述光反射防止材料上形成第一光刻胶图样；

使用所述第一光刻胶图样刻蚀所述光反射防止材料和第一金属层，以便形成所述第一金属线层，在所述第一金属线层中，所述第一减反射层堆叠在所述金属线上，以及；

去除所述第一光刻胶图样。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一金属线层的形成包括：

在其上形成所述第一金属线层的所述第一介电层的整个表面上方形成第二减反射层，其中，所述第一金属线层包括堆叠在所述金属线上的所述第一减反射层；以及

在其上沉积所述第二减反射层的所述半导体衬底的整个表面上实施凹蚀工艺，以便在所述金属线的上表面上留下所述

第一减反射层，而在所述金属线的侧壁上留下所述第二减反射层。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在所述第二介电层上形成第二金属线层，所述第二金属线层包括一个在另一个之上堆叠的金属线和减反射层；以及

在其上形成所述第二金属线层的所述第二介电层上形成第三介电层。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述光反射防止材料为氮化硅，而所述第一金属层由铝制成。