[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

存在日本特开2008-84919号公报中，例如图13所示，存在被称为CSP(芯片尺寸封装，chip size package)的技术，其中，在上表面具有多个连接焊盘32的半导体基板31上设置有绝缘膜33以及保护膜34，在保护膜34的上表面与连接焊盘32连接地设置有布线35，在布线35的连接焊盘部上表面设置有柱状电极36，在包括布线35的保护膜34的上表面设置有密封膜37，密封膜37的上表面与柱状电极36的上表面成为一个面，在柱状电极36的上表面设置有焊料球38。此时，布线35包括与连接焊盘32连接的连接部35a、前端的连接焊盘部35b以及它们之间的引线部35c。

然而，在日本特开2008-84919号公报中，一般的，多个柱状电极36即成为其底座的多个布线35的连接焊盘部35b被配置为矩阵状，在配置在半导体基板31上的周边部的相邻的布线35的连接焊盘部35b之间，配置有布线35的引线部35c，该布线35具有成为配置在半导体基板31上的中央部的柱状电极36的底座的连接焊盘部。

此处，对上述构成的半导体装置的尺寸的一个例子进行说明。在布线35的引线部35c的线宽以及布线35之间的间隔为最小尺寸且为20μm(在图13中相当于2mm、以下相同)时，在柱状电极36的间距为500μm的情况下，当使柱状电极36的直径为250μm时，成为柱状电极36的底座的布线35的连接焊盘部35b的直径(在单侧的允许精度为10μm时、在两侧成为20μm)成为270μm，相邻的布线35的连接焊盘部35b之间的间隔成为230μm，能够配置在相邻的布线35的连接焊盘部35b之间的布线35的引线35c的根数成为5根。

如上所述，在日本特开2008-84919号公报中存在的问题为：在柱状电极36的间距为500μm的情况下，当使柱状电极36的直径为250μm时，成为柱状电极36的底座的布线35的连接焊盘部35b的直径成为270μm且比较大，相邻的布线35的连接焊盘部35b之间的间隔成为230μm且比较窄，能够配置在相邻的布线35的连接焊盘部35b之间的布线35的引线部35c的根数成为5根且比较少，布线35的引线受到制约。

发明内容

因此，本发明的目的在于提高一种能够使布线的连接焊盘部之间的间隔变大，并且能够使布线的引线难以受到制约的半导体装置及其制造方法。

在第1保护膜上设置有多个布线。在包括布线的第1保护膜上设置有第2保护膜，该第2保护膜在与布线7的连接焊盘部对应的部分具有开口部。在经由第2保护膜的开口部露出的布线的连接焊盘上表面以及其周围的第2保护膜上设置有柱状电极。由此，能够使布线的连接焊盘部的平面尺寸比柱状电极的平面尺寸小，并使布线的连接焊盘部之间的间隔变大，而且能够使布线的引线难以受到制约。

根据本发明的第1方式，提供一种半导体装置，具有：在一个面上形成有集成电路的半导体基板；多个连接焊盘，沿着上述半导体基板的至少相对置的一侧边、分别与上述集成电路连接；设置在上述半导体基板上方的第1绝缘膜；多个第1布线，设置在上述第1绝缘膜上，分别被排列为连接焊盘部形成外侧的环状；第2布线，通过上述第1布线的连接焊盘部之间而延伸，被排列为连接焊盘部比上述外侧的环状靠内侧至少形成1个环状；第2绝缘膜，设置在包括上述第1及第2布线上的上述第1绝缘膜上，在与上述第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部；以及柱状电极，设置在经由上述第2绝缘膜的开口部露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上表面及其周围的上述第2绝缘膜的上方，具有比上述第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸。