[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体基板，在一个面形成有集成电路；

多个连接焊盘，沿着上述半导体基板的至少相对置的一侧边，分别与上述集成电路连接；

第1绝缘膜，设置在上述半导体基板的上方；

多个第1布线，设置在上述第1绝缘膜上，分别排列为连接焊盘部形成外侧的环状；

第2布线，通过上述第1布线的连接焊盘部之间而延伸，排列为连接焊盘部在上述外侧的环状的内侧形成至少1个环状；

第2绝缘膜，设置在包括上述第1及第2布线上的上述第1绝缘膜上，在与上述第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部；以及

柱状电极，设置在经由上述第2绝缘膜的开口部露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上表面及其周围的上述第2绝缘膜的上方，具有比上述第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述柱状电极与上述第1及第2布线的连接焊盘部之间，设置有基底金属层。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述基底金属层具有与上述柱状电极相同的平面尺寸。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2布线的一部分通过与上述柱状电极的正下方对应的区域而延伸到上述外侧的环状的内侧。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述第2绝缘膜上以覆盖上述柱状电极的周围的方式设置有密封膜。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

在上述柱状电极上设置有焊料球。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

准备半导体基板的步骤，该半导体基板在一个面形成有集成电路，并形成有沿着至少相对置的一侧边、分别与上述集成电路连接的多个连接焊盘；

第1绝缘膜形成步骤，在上述半导体基板的上方形成具有将上述连接焊盘的至少一部分露出的开口部的第1绝缘膜；

布线形成步骤，在形成在上述半导体基板上的上述第1绝缘膜上，形成分别具有连接焊盘部的多个第1布线和分别具有连接焊盘部的多个第2布线；

第2绝缘膜形成步骤，在包括上述第1及第2布线上的上述第1绝缘膜上，形成第2绝缘膜，该第2绝缘膜在与上述第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部；以及

柱状电极形成步骤，在经由上述第2绝缘膜的开口部露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上表面及其周围的上述第2绝缘膜的上方，形成具有比上述第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸的柱状电极；

上述布线形成步骤包括如下步骤：

排列为上述第1布线的连接焊盘部形成外侧的环状，并排列为上述第2布线通过上述第1布线的连接焊盘部之间而延伸，而且上述第2布线的连接焊盘部在上述外侧的环状的内侧形成至少1个环状。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述柱状电极形成步骤包括：

基底金属层形成步骤，在包括经由上述第2绝缘膜的开口部而露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上在内的整个上述第2绝缘膜上，形成基底金属层，在上述基底金属层上，形成具有柱状电极形成用的开口部的电镀抗蚀膜，通过电解电镀，在上述电镀抗蚀膜的开口部内的上述基底金属层上形成柱状电极。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述柱状电极形成步骤包括如下步骤：在上述基底金属层上形成了柱状电极之后，剥离上述电镀抗蚀膜，将上述柱状电极作为掩膜而除去上述基底金属层。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，具有：

密封膜形成步骤，在上述柱状电极形成步骤中将上述柱状电极作为掩膜而除去了上述基底金属层之后，在上述第2绝缘膜上以覆盖上述柱状电极的周围的方式形成密封膜。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，具有：

焊料球形成步骤，在上述密封膜形成步骤中在上述第2绝缘膜上形成了上述密封膜之后，在上述柱状电极上形成焊料球。