[发明专利]光半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背 光灯光源等发光装置、或能够用于摄影机、数码相机等受光装置等的光半 导体装置及其制造方法，尤其涉及薄型/小型之类的光的取出效率或对比 度优良、能够得到良好成品率的光半导体装置及其制造方法。

背景技术

近年来，伴随电子设备的小型化/轻量化，搭载于电子设备的发光装置 (发光二极管等)或受光装置(CCD或光电二极管等)等光半导体装置也 逐渐向小型化开发。这些光半导体装置例如在绝缘基板的双面分别形成了 一对金属导体图案的双面通孔印制电路板上使用。具有如在双面通孔印制 电路板载置发光元件或受光元件等光半导体元件，使用丝等电导通金属导 通图案和光半导体元件的构造。

但是，对于这种光半导体装置，使用双面通孔印制电路板是必要条件。 该双面通孔印制电路板至少具有0.1mm左右以上的厚度，因此，成为妨碍 表面安装型光半导体装置彻底薄型化的原因。所以，需要开发不使用这种 印制电路板的构造的光半导体装置(例如专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2005-79329号公报。

在专利文献1公开的发光装置在基板上通过蒸镀等形成薄的金属膜作 为电极，并与发光元件一起利用透光性树脂密封，从而，与现有的表面安 装型的发光装置相比，能够实现薄型化。

但是，由于仅使用透光性树脂，所以光从发光元件向下表面方向漏出， 光的取出效率容易降低。虽然公开了设置研钵状的金属膜来反射光之类的 构造，但是，为了设置这种金属膜必须在基板上设置凹凸。从而，由于发 光装置小型化，所以该凹凸极其微细，不仅加工困难，也容易产生由于凹 凸构造使得基板的剥离时容易破损而使成品率降低等问题。另外，用于显 示器等情况下，若仅使用透光性树脂，则对比度容易变差。

发明内容

为了解决以上课题，本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于， 包括：在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工 序；在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工 序；在第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序；用由透光 性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序；除去支承基板之 后，将光半导体装置分片化的第五工序。由此，能够容易地形成光取出效 率优良的薄型的光半导体装置。

另外，本发明的光半导体装置，其特征在于，具有：光半导体元件； 第一导电构件，其上表面载置光半导体元件，下表面形成光半导体装置的 外表面；第二导电构件，其远离第一导电构件，下表面形成光半导体装置 的外表面；基体，其设置在第一导电构件和第二导电构件之间且由遮光性 树脂构成；密封构件，其密封光半导体元件且由透光性树脂构成，第一及 第二导电构件为镀敷件。由此，能够成为薄型的光半导体装置。

发明效果

根据本发明，能够成品率良好地形成薄型的光半导体装置。另外，即 使为薄型的光半导体装置，也能够防止来自发光元件的光从下表面侧漏 出，得到光的取出效率提高了的光半导体装置及对比度提高了的光半导体 装置。

附图说明

图1A是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。

图1B是图1A的光半导体装置的A-A’截面的剖视图及局部放大图。

图2A～2H是说明本发明的光半导体装置的制造方法的工序图。

图3A是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。

图3B是图3A的光半导体装置的B-B’截面的剖视图。

图4A～4D是说明本发明的光半导体装置的制造方法的工序图。

图5是表示本发明的光半导体装置的整体及内部的立体图。

图6A是表示本发明的光半导体装置的立体图。

图6B是图6A的光半导体装置的C-C’截面的剖视图。

图7A是本发明的光半导体装置的剖视图。

图7B是图7A的光半导体装置的局部放大剖视图。

符号说明：

100、200、300、400、500-光半导体装置(发光装置)

101、101’、201、301、401、501-第一导电构件

102、202、302、402、502-第二导电构件