[发明专利]光半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光半导体装置的制造方法，其中，包括：

在支承基板上形成多个相互远离的第一导电构件及第二导电构件的 第一工序；

在所述第一导电构件及所述第二导电构件之间设置由遮光性树脂构 成的基体以抑制光从下表面侧向外部漏出的第二工序；

在所述第一导电构件及／或所述第二导电构件上载置光半导体元件的 第三工序；

用由透光性树脂构成的密封构件覆盖所述光半导体元件的第四工序；

除去所述支承基板之后，将光半导体装置分片化的第五工序。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述第一导电构件及所述第二导电构件是通过镀敷形成的。

3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述第一工序包括如下工序：在所述支承基板上形成具有相互远离的 开口部的保护膜，在该开口部内形成所述第一导电构件及所述第二导电构 件的工序。

4.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述第一工序包括如下工序：在所述支承基板上形成导电构件之后， 对该导电构件进行蚀刻而形成相互远离的所述第一导电构件及所述第二 导电构件的工序。

5.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述第三工序在所述第二工序之前进行。

6.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述基体具有比所述第一导电构件及所述第二导电构件的上表面突 出的突出部。

7.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

在所述第五工序中，在包括所述第一导电构件及／或所述第二导电构 件的位置切断进行分片化。

8.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

在所述第五工序中，在远离所述第一导电构件及所述第二导电构件的 位置切断进行分片化。

9.根据权利要求1或2所述的光半导体装置的制造方法，其中，

所述支承基板的线膨胀系数与所述基体的线膨胀系数的差为30％以 下。

10.一种光半导体装置，其特征在于，具有：

光半导体元件；

第一导电构件，其上表面载置所述光半导体元件，下表面形成光半导 体装置的外表面；

第二导电构件，其远离所述第一导电构件，下表面形成光半导体装置 的外表面；

基体，其设置在所述第一导电构件和所述第二导电构件之间且由遮光 性树脂构成以抑制光从下表面侧向外部漏出；

密封构件，其密封所述光半导体元件且由透光性树脂构成，

所述第一导电构件及所述第二导电构件为镀敷件。

11.根据权利要求10所述的光半导体装置，其中，

所述第一导电构件及所述第二导电构件具有层叠构造，所述层叠构造 由包括最下层、最上层和夹在它们之间的中间层的多层镀敷层层叠而成。

12.根据权利要求10所述的光半导体装置，其中，

所述第一导电构件及所述第二导电构件包括：含有Au的最下层、含 有Ni或Cu的第一中间层、含有Au的第二中间层、含有Ag的最上层。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的光半导体装置，其中，

所述第一导电构件及所述第二导电构件的厚度为25μm以上200μm 以下。

14.根据权利要求11或12所述的光半导体装置，其中，

所述中间层以所述导电构件整体膜厚的80％～99％的范围的比率形 成。

15.根据权利要求10～12中任一项所述的光半导体装置，其中，

所述基体具有比所述第一导电构件及所述第二导电构件的上表面突 出的突出部。