[发明专利]陶瓷基板的金属化制作方法

说明书

技术领域

本发明提供一种陶瓷基板的金属化制作方法，尤其涉及利用纳米界面活性剂涂布于经粗化处理的陶瓷基板表面，使不具有电极性的陶瓷基板表面可产生正负电极效应，如此，可透过电镀薄膜方式于具有纳米界面活性剂的陶瓷基板上沉积有较薄厚度的第一金属层，来达到符合市场需求性的功效。

背景技术

当前，随着科技发展的突飞猛进及人类对更高生活品质的追求，所以对于许多产品的应用特性趋向极为严格的要求，造成新开发材料的使用成为必要的手段。而现今的积体电路封装制作，受追求传输效率更佳以及体积小型化的影响(如行动电话、迷你笔记型电脑的电子元件)，因此业界对这方面投入了相当可观的研究经费。而经过多年的研究后，发明一种以使用陶瓷材质为基板所制成的陶瓷基板。陶瓷基板具有优良的绝缘性、化学安定性、电磁特性、高硬度、耐磨耗及耐高温，所以陶瓷基板所可达成的功效远比现有的基板更好，因此陶瓷基板于目前在被使用的频率上也就越来越高。然而现有的用于陶瓷基板上的线路层，是利用热压合方式将金属材质层紧密附着于陶瓷基板上，必须使用较厚的金属材质层才可附着于陶瓷基板上，且接合面易形成氧化铜(CuO)，造成热阻升高。如果使用太薄金属材质层，会在热压合过程中，造成金属材质层龟裂，导致产品品质降低，并产生制造成本提升的问题。

因此，如何解决现有陶瓷基板的问题与缺失，即为从事此行业的相关厂商亟欲研究改善的方向。

发明内容

因此，发明人有鉴于上述的问题与缺失，乃搜集相关资料，经由多方评估及考量，并利用从事于此行业的多年研发经验，经由不断试作与修改，设计出此种陶瓷基板的金属化制作方法。

本发明的主要目的在于，由于陶瓷基板(如：AIN/A1203/LTTC等)为无机物不带任何正负电性，非常不容易与金属接合，故利用镀膜制作方式，先将陶瓷基板进行洁净清洗，并使用微蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理，再利用纳米级含Si的界面活性剂涂布于陶瓷基板表面，使不具有电极性的陶瓷基板表面可产生负电极效应。如此，可透过镀膜方式于纳米界面活性剂上沉积有厚度较薄且易与陶瓷接合的带正电的第一金属层(如Si/Ni/Cr或Fe/Co，Fe/Co/Ni等金属或金属合金)，达到利用正负电极吸引的电镀薄膜方式，可于陶瓷基板上结合较薄厚度的第一金属层，有效降低制造成本及提升生产效益的功效，以符合市场的需求。

本发明的次要目的在于，陶瓷基板已镀膜的第一金属层上，可再透过镀膜方式再结合有至少一层以上的第二金属层，增加陶瓷基板上金属材质的厚度，使陶瓷基板于第一金属层上可结合有不同厚度的金属材质，所以可达到符合使用者的需求选择使用，以及符合市场需求性的功效。且金属材质不受限制，具有较多金属材质选择性。此外，上述镀膜方式可为真空镀膜、化学蒸镀、溅镀或化学电镀，达到导热佳、电性传导佳、可靠度及结合力强的陶瓷基板，有效降低制造成本的效果。

附图说明

图1为本发明的架构流程图；

图2为本发明的步骤流程图；

图3为本发明的制作步骤图(一)；

图4为本发明的制作步骤图(二)。

附图标记说明：1-陶瓷基板；2-纳米界面活性剂；3-第一金属层；4-第二金属层；5-干膜。

具体实施方式

为达成上述目的及构造，本发明所采用的技术手段及其功效，以下结合附图和本发明的较佳实施例，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

图1、图2、图3、图4所示，分别为本发明的架构流程图、步骤流程图、制作步骤图(一)、制作步骤图(二)。由图中可清楚看出，本发明的陶瓷基板的金属化制作方法，可借由以下步骤来进行制造，其步骤为：

(100)将陶瓷基板1进行洁净清洗，再使用微蚀刻方式将陶瓷基板1表面进行粗化处理。

(101)利用纳米界面活性剂2涂布于陶瓷基板1表面，进行陶瓷基板1表面改质。

(102)透过镀膜方式于纳米界面活性剂2上结合有第一金属层3，完成于陶瓷基板1上结合有第一金属层3。

(103)于第一金属层3上透过镀膜方式再结合有至少一层以上的第二金属层4。

(104)于第二金属层4上贴附有干膜5。

(105)利用蚀刻方式将线路部分外的干膜5、第一金属层3及第二金属层4去除。

(106)将线路部分的第二金属层4上依序镀上镍及金/银，完成一完整的电路基板制作。