[发明专利]陶瓷基板的金属化制作方法无效
| 申请号： | 200910169585.9 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102010233A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 林文新;刘吉仁 | 申请（专利权）人： | 禾伸堂企业股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/88 | 分类号： | C04B41/88;C04B41/90;C04B41/91 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 金属化 制作方法 | ||
1.一种陶瓷基板的金属化制作方法，是指在陶瓷基板上镀有较薄厚度的金属材质，其特征在于其步骤包括：
(A)将陶瓷基板进行冲洗，再使用蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理；
(B)利用带负电的纳米界面活性剂涂布在粗化处理后的陶瓷基板表面，使纳米界面活性剂为陶瓷基板与第一金属层的介质；
(C)透过镀膜方式于带负电的纳米界面活性剂上连结有带正电的第一金属层，完成陶瓷基板上结合有第一金属层。
2.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层上进一步镀有至少一层以上的第二金属层，而第二金属层上覆盖有干膜，并蚀刻成预设线路，再于第二金属层上镀有至少一层或一层以上的金属材质。
3.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该蚀刻方式是以微蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理。
4.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该陶瓷基板是以纯水进行冲洗，而纯水为蒸馏水。
5.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该纳米界面活性剂为含Si的纳米界面活性剂。
6.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层的较佳厚度为0.01-1μm。
7.如权利要求1所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层为硅镍铬合金(Si/Ni/Cr)、铁钴合金(Fe/Co)或铁钴镍合金(Fe/Co/Ni)等合金的金属。
8.一种陶瓷基板的金属化制作方法，是指在陶瓷基板上镀有较薄厚度的金属材质，其特征在于其步骤包括：
(A)将陶瓷基板进行冲洗，再使用蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理；
(B)利用带正电的纳米界面活性剂涂布在粗化处理后的陶瓷基板表面，使纳米界面活性剂为陶瓷基板与第一金属层的介质；
(C)透过镀膜方式于带正电的纳米界面活性剂上连结有带负电的第一金属层，完成陶瓷基板上结合有第一金属层。
9.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层上进一步镀有至少一层以上的第二金属层，而第二金属层上覆盖有干膜，并蚀刻成预设线路，再于第二金属层上镀有至少一层或一层以上的金属材质。
10.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该蚀刻方式是以微蚀刻方式将陶瓷基板表面进行粗化处理。
11.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该陶瓷基板是以纯水进行冲洗，而纯水为蒸馏水。
12.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该纳米界面活性剂为含Si的纳米界面活性剂。
13.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层的较佳厚度为0.01-1μm。
14.如权利要求8所述的陶瓷基板的金属化制作方法，其特征在于该第一金属层为硅镍铬合金(Si/Ni/Cr)、铁钴合金(Fe/Co)或铁钴镍合金(Fe/Co/Ni)等合金的金属。
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