[发明专利]利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种防污层的形成方法，尤其涉及一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，而利用该方法，可使工件一个接着一个形成防污层，如此不但可使镀膜均匀，环境污染降低，且可提高生产效率。

背景技术

现有ABS/PC等塑料件或镁合金为具有保护、装饰的功能，其表面处理方法多为以湿式喷涂、浸泡作业及真空批量式镀膜作业。真空批量式镀膜，其采以单一圆形真空腔，其将置于真空腔内抽真空，在真空环境下镀上薄膜。但是，由于每次开启、关闭都需耗费大量时间来进行抽真空、破真空及上、下料，再来，因其工件为多量式置于真空腔内其位置因而有所不一，促使其镀膜的均匀性产生不一，也容易造成附着力下降的质量问题。若以湿式喷涂、浸泡作业，其作业条件因素尚需考虑其液体、漆料的环境污染问题，以及温湿度、调和比例人员控制是否得当，而产生相关质量与环保的问题。

如上述而言，无论湿式喷涂、浸泡作业或真空批量式镀膜作业，其每个环节作业都因人、温湿度、环境、膜层均匀性而备受影响。由此可见，上述的作业上存有诸多缺失，而亟待加以改良。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，利用该方法，可达到提升镀膜质量、降低环境污染以及提高产能等功效。

为了实现上述目的，本发明提供一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其包括下列步骤：a)使该工件进入该连续式真空溅镀设备的一进料腔体；b)使该工件从该进料腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第一暂存腔体；c)使该工件从该第一暂存腔体继续进入至该真空溅镀设备的一清洁腔体，于该清洁腔体内通入适当的Ar气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar气体成为等离子而对该工件的表面进行清洁、活化处理；d)使该工件从该清洁腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第二暂存腔体；e)使该工件从该第二暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一硅靶材的一第一溅镀腔体，于该第一溅镀腔体内通入适当的Ar、N₂、O₂气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar气体成为等离子，并对该硅靶材进行轰击，以在该工件的表面上形成一致密层；f)使该工件从该第一溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第三暂存腔体；g)使该工件从该第三暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有由氟化物高温烧结而成的陶瓷靶材的一第二溅镀腔体，于该第二溅镀腔体内通入适当的Ar气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar气体成为等离子，并对由氟化铝/氟化硅/氟化镁/氟化钙等的混合物烧结而成的陶瓷靶材进行轰击，以在该工件的该致密层上形成一保护层；h)使该工件从该第二溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第四暂存腔体；以及i)使该工件从该第四暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的一出料腔体。该工件在进入一腔体时，另一工件则已进入该腔体的前一个腔体。

该连续式真空溅镀设备是在同一直在线依序设置有进料腔体、第一暂存腔体、清洁腔体、第二暂存腔体、第一溅镀腔体、第三暂存腔体、第二溅镀腔体、第四暂存腔体以及出料腔体，其中，该第一暂存腔体包括第一低真空腔体；该第二暂存腔体包括第二低真空腔体和第三低真空腔体；该第三暂存腔体包括第四低真空腔体；和该第四暂存腔体包括第五低真空腔体。该清洁腔体、该第一溅镀腔体和该第二溅镀腔体的气压都为10^-3torr，而该些低真空腔体的气压为10^-2torr。

该工件在进入一腔体时，另一工件则已进入该腔体的前一个腔体。

该致密层为氮氧化硅层。

该氮氧化硅层的厚度是介于100-之间。

本发明主要是以改变以往湿式喷涂、浸泡作业及真空批量式镀膜作业的环保污染及批量式生产的缺陷，而改以提善绿色科技、低成本作业、高量产、高质量、高均匀性及人性化的连续式真空溅镀设备来完成金属或非金属、陶瓷、玻璃、ABS/PC等塑料件或镁合金等工件表面防污处理。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的成品剖视图；

图2为本发明一较佳实施例的连续式真空溅镀设备的配置示意图。

其中，附图标记：

1：工件                        2：致密层

3：保护层                      5：进料腔体

6：出料腔体                    7：第一低真空腔体

8：清洁腔体                    9：第二低真空腔体