[发明专利]利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法

权利要求书

1.一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，包括下列步骤：

a)使该工件进入该连续式真空溅镀设备的一进料腔体；

b)使该工件从该进料腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第一暂存腔体；

c)使该工件从该第一暂存腔体继续进入至该真空溅镀设备的一清洁腔体，于该清洁腔体内通入适当的Ar气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar气体成为等离子而对该工件的表面进行清洁、活化处理；

d)使该工件从该清洁腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第二暂存腔体；

e)使该工件从该第二暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一硅靶材的一第一溅镀腔体，于该第一溅镀腔体内通入适当的Ar、N₂、O₂气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar成为等离子，并对该硅靶材进行轰击，以在该工件的表面上形成一致密层；

f)使该工件从该第一溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第三暂存腔体；

g)使该工件从该第三暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一由氟化物烧结而成的陶瓷靶材的一第二溅镀腔体，于该第二溅镀腔体内通入适当的Ar气体，且以3～5W/cm²的能量激发Ar气体成为等离子，并对该氟化物和氟碳化合物混合的陶瓷靶材进行轰击，以在该工件的该致密层上形成一保护层；

h)使该工件从该第二溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第四暂存腔体；以及

i)使该工件从该第四暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的一出料腔体。

2.根据权利要求1所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该进料腔体、该第一暂存腔体、该清洁腔体、该第二暂存腔体、该第一溅镀腔体、该第三暂存腔体、该第二溅镀腔体、该第四暂存腔体以及该出料腔体是依序排列成一直线。

3.根据权利要求1或2所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该第一暂存腔体包括气压为10^-2torr的第一低真空腔体。

4.根据权利要求1或2所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该第二暂存腔体包括气压为10^-2torr的一第二低真空腔体和一第三低真空腔体。

5.根据权利要求1或2所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该第三暂存腔体包括气压为10^-2torr的一第四低真空腔体。

6.根据权利要求1或2所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该第四暂存腔体包括气压为10^-2torr的第五低真空腔体。

7.根据权利要求1或2所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该清洁腔体、该第一溅镀腔体和该第二溅镀腔体的气压都为10^-3torr。

8.根据权利要求1所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该工件在进入一腔体时，另一工件则已进入该腔体的前一个腔体。

9.根据权利要求1所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该致密层为氮氧化硅层。

10.根据权利要求9所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该氮氧化硅层的厚度是介于100-之间。

11.根据权利要求1所述的利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法，其特征在于，该陶瓷靶材由氟化铝/氟化硅/氟化镁/氟化钙的混合物烧结而成。