[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 200910167084.7 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101656265A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 洪祥睦;李在一;李根洙 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;马翠平 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术
OLED显示器包括发射光的有机发光二极管(OLED)。当电子和空穴相 结合形成的激子由激发态向基态衰减时发射光。OLED显示器利用产生的光 来产生图像。
因此,OLED显示器具有自发光特性,并且和液晶显示器(LCD)相比, 因为不需要单独的光源,所以OLED显示器的厚度可减少且重量可减轻。另 外,因为OLED显示器具有低功耗、高亮度和高反应速度,所它理想地适于 用在移动电子装置中。
OLED显示器使用多个像素显示图像,且OLED包含在每个像素中。通 常,OLED包括有机发射层、空穴注入电极和电子注入电极。当电流提供给 空穴注入电极和电子注入电极时,有机发射层发射光。
然而,在制造过程中,在一些像素中可能出现亮点故障。亮点故障是指 与数据信号和栅极信号无关OLED持续发光的状态。如所描述的,由于亮点 故障而总是发光的像素在图像中作为亮点能被使用者轻易地察觉。也就是说, 亮点故障的发生降低了OLED显示器的质量。
通常,当制造了包括亮点故障的像素的OLED显示器时,使用激光使该 像素失效。然而,这样的修理过程可能破坏外围的数据线、公共线和/或其它 电极。
发明内容
本发明的各个方面提供了一种使亮点故障的修理变得容易的有机发光二 极管(OLED)显示器及制造该OLED显示器的方法。
根据本发明示例性实施例的OLED显示器包括:基底,包括多个像素区; 像素电极,设置在每个像素区中;像素限定层,形成在基底上,具有分别暴 露像素电极的多个开口;有机发射层,形成在像素电极上;共电极,形成在 有机发射层和像素限定层上。电极切口形成在共电极中,以电隔离共电极的 一部分。
根据本发明的示例性实施例,电极切口可以形成在像素限定层上。像素 限定层可以包括沿着电极切口形成的沟道。在电极切口和像素电极之间可以 设置有像素限定层。
根据本发明的示例性实施例,OLED显示器还可以包括数据线、共电源 线、源电极和漏电极。数据线、共电源线、源电极和漏电极中的至少一个可 以设置在电极切口下。
根据本发明的示例性实施例,在形成有电极切口的像素区中的有机发射 层可以不发光。有机发射层可以形成在像素限定层和共电极之间,并且有机 层切口可以通过沿着电极切口切割有机发射层来形成。
根据本发明的另一个示例性实施例,一种OLED显示器的制造方法包括 以下步骤:在基底的每个像素区中形成像素电极;在基底上形成像素限定层, 像素限定层具有分别暴露像素电极的多个开口;在像素电极上形成有机发射 层;通过在有机发射层上形成共电极完成多个OLED;查找有缺陷的OLED; 通过切割对应于有缺陷的OLED的像素区中的共电极来形成电极切口。电极 切口可以围绕像素限定层的对应的开口。
根据本发明的示例性实施例,电极切口可以形成在像素限定层上。形成 电极切口的步骤可包括在像素限定层中形成设置在电极切口下的沟道。像素 限定层可以设置在电极切口和像素电极之间。
根据本发明的示例性实施例,制造方法还包括形成数据线、共电源线、 源电极和漏电极。数据线、共电源线、源电极和漏电极中的至少一个可以设 置在电极切口之下。
根据本发明的示例性实施例,有机发射层形成在对应于电极切口的像素 区中。该有机发射层可以不发光。
根据本发明的示例性实施例,该制造方法还包括在像素限定层和共电极 之间形成有机发射层。形成电极切口的步骤可以包括通过沿着电极切口切割 有机发射层与电极切口一起形成有机层切口。
根据本发明,OLED显示器的亮点故障可以稳定地变成黑点,从而提高 了显示质量。
本发明另外的方面和/或优点将在下面的描述中部分地阐明,部分地通过 描述是显而易见的,或者可以通过本发明的实施而获知。
附图说明
通过结合附图进行的示例性实施例的以下描述,本发明的这些和/或其他 方面和优点将变得清楚和更易于理解,其中:
图1是根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示 器的布局图;
图2是沿着图1中的线II-II截取的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的