[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基底；

像素电极，设置在基底上；

像素限定层，设置在基底上，具有暴露像素电极的开口；

有机发射层，设置在像素电极上；

共电极，设置在有机发射层和像素限定层上；

其中，在共电极中围绕像素限定层的开口中的一个形成电极切口，以电 隔离共电极的一部分。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，电极切口形成在 像素限定层上。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，像素限定层包括 对应于电极切口的沟道。

4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，像素限定层在电 极切口和像素电极之间延伸。

5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显 示器还包括数据线、共电源线、源电极和漏电极，

其中，数据线、共电源线、源电极和漏电极中的至少一个设置在电极切 口和基底之间。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，设置在电极切口 内的有机发射层不发光。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，有机发射层还形 成在像素限定层和共电极之间，通过在形成有电极切口的像素区上沿着电极 切口切割有机发射层来形成有机层切口。

8.一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括以下步骤：

在基底上形成像素电极；

在基底上形成像素限定层，像素限定层具有分别暴露像素电极的开口；

在像素电极上形成有机发射层；

在有机发射层上形成共电极，以形成完成的有机发光二极管；

检测有机发光二极管中有缺陷的有机发光二极管；

在共电极中形成电极切口，电极切口围绕开口中与有缺陷的有机发光二 极管对应的开口，以电隔离共电极的一部分。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中，电极切口形成在像素限定层上。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中，形成电极切口的步骤包括： 通过切割设置在电极切口下的像素限定层与电极切口一起形成沟道。

11.如权利要求9所述的制造方法，其中，在电极切口和像素电极之间 设置有像素限定层。

12.如权利要求9所述的制造方法，所述制造方法还包括形成数据线、 共电源线、源电极和漏电极，

其中，数据线、共电源线、源电极和漏电极中的至少一个设置在电极切 口和基底之间。

13.如权利要求8所述的制造方法，其中，有缺陷的有机发光二极管不 发光。

14.如权利要求8所述的制造方法，其中：

形成有机发射层的步骤包括在像素限定层和共电极之间形成有机发射 层；

形成电极切口的步骤包括在对应于电极切口的有机发射层中形成切口。

15.一种有机发光二极管显示器，包括：

基底；

像素电极，设置在基底上；

像素限定层，设置在基底上，具有暴露像素电极的开口；

有机发射层，设置在像素电极上；

共电极，设置在有机发射层和像素限定层上，

其中，在共电极和有机发射层中形成切口，以电隔离共电极的一部分和 有机发射层的对应的部分，从而使显示器的有机发光二极管失效。

16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，在像素限定层 中形成对应于切口的沟道。