[发明专利]内存工作电压范围测量方法无效

专利信息
申请号: 200910165935.4 申请日: 2009-08-18
公开(公告)号: CN101996118A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 孙佑良 申请(专利权)人: 英业达股份有限公司
主分类号: G06F11/24 分类号: G06F11/24
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 内存 工作 电压 范围 测量方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种电压范围测量方法,且特别是有关于一种内存工作电压范围测量方法。

背景技术

只要打开计算机,计算机中的数据或程序,都需要靠内存(Memory)来暂时储存管理。所以内存可以说是计算机系统中的最佳仓储管理员。内存其实不止一种,按功能又可分成只读存储器(Read Only Memory,ROM)、闪存(Flash Memory)以及随机存取内存(Read Access Memory,RAM)等三种。

其中,随机存取内存亦可称为主存储器,可用以随时读写,且具有极快得数据传输速度。因此,通常使用随机存取内存作为操作系统或其它正在执行中的程序的临时数据储存媒介。随机存取内存可分为静态随机存取内存(StaticRAM,SRAM)和动态随机存取内存(Dynamic RAM,DRAM)。其中,SRAM具有快速存取的优点。但由于SRAM生产成本较为昂贵,常被应用在快取(cache)。而DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以被大量的采用作为系统的主存储器。

然而,在内存的使用时,需提供内存正确的工作电压,才能使内存正常运作。因此,如何测量内存正常工作的工作电压范围,作为内存电压的设定依据,实为目前亟待解决的问题之一。

发明内容

因此,本发明的一目的是在提供一种内存工作电压范围测量方法,用以测量内存的工作电压范围。通过陆续提供不同工作电压给内存,并进行内存测试程序(memory stress),以取得内存的一第一电压临界值。在计算机不正常运作时,通过重新开机接口触发计算机重新开机,以继续取得内存的一第二电压临界值。如此一来,通过第一电压临界值以及第二电压临界值,即可得知内存的工作电压范围。

依据本发明一实施例,一种内存工作电压范围测量方法包含:使一内存插设于一计算机。其中,计算机包含一重新开机接口。令一参考电压作为一工作电压,以提供给内存,并使计算机使用内存执行一内存测试程序。持续侦测计算机是否正常运作。在计算机执行完成内存测试程序时,将内存的工作电压记录为一先前电压。将工作电压加上一偏移量。提供加上后的工作电压给内存,并使计算机使用内存执行内存测试程序。在计算机不正常运作时,判定先前电压为内存的一第一电压临界值,透过重新开机接口,触发计算机重新开机,测量内存的一第二电压临界值。

其中,测量内存的第二电压临界值包含:令参考电压减去偏移量作为工作电压,以提供给内存,并使计算机使用内存执行内存测试程序。在计算机执行完成内存测试程序时,将内存的工作电压记录为另一先前电压。将工作电压减去偏移量。提供减去后的工作电压给内存,并使计算机使用内存执行内存测试程序。在计算机不正常运作时,判定另一先前电压为内存的第二电压临界值。其中,可判定内存的一工作电压范围为第一电压临界值以及第二电压临界值之间。

其中,持续侦测计算机是否正常运作包含:持续自计算机接收一确认回复。在自计算机收到确认回复时,判定计算机仍正常运作。其中,内存工作电压范围测量方法还包含持续传送一确认要求至计算机。确认回复是透过一确认接口所取得。一确认接口可为内部整合电路(Inter-Integrated Circuit,I2C)、串行端口(Communication port,COM)或网络。

其中,重新开机接口可为基板管理控制器(Base Management Controller,BMC)。工作电压是透过一可调整电压的治具提供给内存。偏移量可透过一使用者接口设定。

应用本发明具有下列优点。可通过陆续提供多组不同工作电压给内存,而取得内存的工作电压范围,作为设定内存电压时的依据。此外,即使所提供的电压不在内存的工作电压范围内,而造成计算机无法继续正常运作,仍可在计算机重新开机后,重新设定所提供的工作电压,而使得计算机继续执行内存工作电压范围测量方法。因此,在测量内存工作电压范围的过程中,不需使用人力在一旁随时准备将计算机重新开机。另外,在使用者透过使用者接口设定较小的偏移量时,可使所测得的工作电压范围较为精确;在使用者透过使用者接口设定较大的偏移量时,可使测量时所需提供的工作电压的组数减少,因而减少测量所需的时间。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:

图1是依照本发明一实施例的一种内存工作电压范围测量方法的流程图;

图2是图1中步骤210的一实施例。

【主要组件符号说明】

100:内存工作电压范围测量方法

110~219:步骤

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