[发明专利]半导体装置及使用其的电子设备无效

专利信息
申请号: 200910163411.1 申请日: 2009-08-19
公开(公告)号: CN101656398A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 南尾匡纪;吉川则之;井岛新一 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/32 分类号: H01S5/32;H01S5/022;H01S5/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 使用 电子设备
【说明书】:

技术领域

本发明涉及例如在光源中使用的半导体装置及使用其的电子设备。

背景技术

以下,对在现有的激光光源中使用的半导体装置进行说明。

在现有的激光光源中使用的半导体装置至少具有:第一引线框,其具有元件安装部;第二引线框,其与该第一引线框配置在大致同一面内并隔开规定的间隔。

在第一引线框和第二引线框中,将各引线框的表背面的至少一部分通过由传递成型树脂材料构成的固定体(以下,称为模制固定体)固接并固定。而且,在第一引线框的元件安装部的上方固接有激光二极管。例如,在专利文献1中记载有与该结构类似的半导体装置。

现有的半导体装置在固定第一引线框和第二引线框的传递成型工序中,需要通过模制固定体覆盖第一引线框及第二引线框的表背面的至少一部分,因此,模具的树脂注入口与第一引线框或第二引线框相对配置,并在该状态下,将树脂材料压入模具内。

具体来说,使压入的树脂材料与第一引线框或第二引线框的表面碰撞,通过该碰撞将树脂材料的流动方向变更为与引线框的表面平行的方向,进而使树脂材料向引线框的背面侧流动。

因此,在传递成型工序后,作为设置在模具的树脂材料的注入口的痕迹的树脂注入口痕迹残留在第一引线框及第二引线框中的任一者的上方。

专利文献1:日本特开平6-45703号公报

随着电子设备的小型化,搭载于其的半导体装置也要求小型化,作为其一环,要求模制固定体的壁厚变薄。

但是,在所述现有的半导体装置的结构中有不能得到足够强度的问题。即,在以小型化为目标而使模制固定体的壁厚变薄中,需要使模具的树脂注入口接近与该树脂注入口相对的第一引线框及第二引线框的表面。

但是,如果使模具的树脂注入口接近引线框的表面,则不能够充分地确保树脂材料的流动性。因此,覆盖各引线框的表背面的一部分的模制固定体破裂、混入空气、并形成所谓气孔,不能够得到作为半导体装置的足够强度。

发明内容

本发明的目的在于,解决所述现有的问题,并提高通过由模制树脂材料构成的固定体固定多个引线框的半导体装置的强度。

为实现所述目的,本发明使半导体装置为如下结构,即,使模具的树脂注入口的一部分与多个引线框的任一者相对,并且使其剩余部分与多个引线框之间的区域相对。

具体来说,本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:第一引线框,其具有元件安装部;第二引线框,其与该第一引线框配置在同一面内并隔开规定的间隔;固定体,其由固定第一引线框和第二引线框的传递成型树脂材料构成;半导体元件,其固接于第一引线框中的元件安装部的上方,固定体覆盖第一引线框的表背面的至少一部分及第二引线框的表背面的至少一部分,并且在残留于固定体并作为将该固定体注入的痕迹的树脂注入口痕迹中,其一部分位于第一引线框或第二引线框的上侧部分,其剩余部分位于第一引线框与第二引线框之间的上侧部分。

根据本发明的半导体装置,使树脂材料的一部分在第一引线框或第二引线框的任一者的表面碰撞,由此将树脂材料的流动方向变更为与引线框的表面平行的方向,因此,使树脂材料沿引线框的表面侧平滑地流动。此外,由于也使树脂材料的剩余部分从第一引线框与第二引线框之间向背面侧平滑地流动,因此,不用担心在覆盖第一引线框及第二引线框的各表背面的至少一部分的固定体中产生破裂或混入空气。由此,能够得到作为半导体装置的足够强度。

在本发明的半导体装置中,优选,第一引线框或第二引线框中的与树脂注入口痕迹相对的区域与第一引线框或第二引线框中的不与树脂注入口痕迹相对的其它区域相比,形成壁厚薄的薄壁部。

此时,优选,第一引线框或第二引线框中的与树脂注入口痕迹相对的区域通过从树脂注入口痕迹侧向其下方冲孔而形成。

在本发明的半导体装置中,优选,半导体元件为激光二极管。

本发明涉及的电子设备的特征在于,作为光源具有本发明的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置及电子设备能够提高通过模制树脂材料固定多个引线框的半导体装置的强度。

附图说明

图1(a)~(c)表示本发明的一实施方式涉及的半导体装置,(a)是俯视图、(b)是底面图、(c)是侧视图。

图2是表示构成本发明的一实施方式涉及的半导体装置的引线框的俯视图。

图3表示本发明的一实施方式涉及的半导体装置的制造方法中的传递成型工序,且是图4的III-III线的剖面图。

图4是放大图1(b)的区域A的底面图。

[符号说明]

1  第一引线框

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