[发明专利]半导体装置及使用其的电子设备无效
申请号: | 200910163411.1 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101656398A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 南尾匡纪;吉川则之;井岛新一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01S5/32 | 分类号: | H01S5/32;H01S5/022;H01S5/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 使用 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
第一引线框,其具有元件安装部;
第二引线框,其与所述第一引线框配置在同一平面内且隔开规定的间隔;
固定体,其固定所述第一引线框和所述第二引线框且由传递成型树脂材料构成;
半导体元件,其固接于所述第一引线框中的所述元件安装部的上方,
所述固定体覆盖所述第一引线框的表背面的至少一部分及所述第二引线框的表背面的至少一部分,
在残留于所述固定体并作为注入该固定体的痕迹的树脂注入口痕迹中,其一部分位于所述第一引线框或所述第二引线框的上侧部分,其剩余部分位于所述第一引线框与所述第二引线框之间的上侧部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一引线框或所述第二引线框中的与所述树脂注入口痕迹相对的区域与所述第一引线框或所述第二引线框中的不与树脂注入口痕迹相对的其它区域相比,形成壁厚薄的薄壁部。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一引线框或所述第二引线框中的与所述树脂注入口痕迹相对的区域通过从所述树脂注入口痕迹侧向其下方冲孔而形成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体元件是激光二极管。
5.一种电子设备,其特征在于,
作为光源具有所述权利要求1~3中任一项所述的半导体装置。
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