[发明专利]应用于软性电子器件的基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种基板，特别是涉及一种调控应力的基板及其制造方法。

背景技术

软性显示器已成为新世代新颖显示器的发展趋势，而发展主动式软性显示器更是主流趋势，世界各大研发公司均由现行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃系且重量更轻的软性塑料基板材料发展，并朝向主动式全彩的TFT显示面板迈进。目前，针对开发主动式软性显示器的技术有a-Si TFT、LPTS TFT及OTFT三种选择，在显示介质的部分包含EPD、ECD、LCD及EL。

在制造方式的选择可以分成批式(batch type)及卷对卷(roll to roll)两种方式，若选择batch type方式进行TFT器件制造，可利用现有TFT设备进行制作，具有相当优势，但必须发展所谓基板转移或离膜技术，将软性显示器从玻璃上转移到其它塑料基板上或取下。而以roll to roll方式则必须利用全新设备来进行，并必须克服转动及接触所引发的相关问题。

以batch type方式进行制造TFT结构主要有三种方式，一为SEC利用PES当基板转贴于硅芯片上，利用低温a-Si TFT技术开发7”VGA(640×480)塑性(plastic)LCD，而此法需要一耐高温、低热膨胀系数、低光迟滞性且抗化性佳的高透明基板材料，并配合适当的胶材及良好的离型技术。二为SeikoEpson以LPTS转移(transfer)技术进行TFT背板开发，于玻璃基板上进行LPTS TFT背板制作，完成后，Seiko Epson再利用激光回火(laser annealing)。所谓转移技术主要优点为TFT器件制程温度不受塑料基板的限制，因此，有较好的特性，故一般具高透光性塑料基板便可以被用来使用，但其转移机制及转贴技术显得更加重要。另外，第三种为Philips利用聚酰亚胺(PI)涂布于玻璃上，进行a-Si TFT-EPD显示器的开发，并利用转移技术将PI基板于玻璃上取下。此技术虽然利用传统PI塑料基板而具有耐高温的特性，直接涂布于玻璃上，不但制程温度可以超过300℃，又可以省去转贴的步骤，但仍必须利用激光去除玻璃基板。

虽然利用涂布方式将塑料基板成型于玻璃上进行TFT制程可以得到特性良好的软性TFT器件，但因为塑料基板内外两侧结构不对称形成应力不均，使得软性基板翘曲不平整甚至严重卷曲无法使用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以调控应力的、应用于软性电子器件基板，及其制造方法。

本发明的一实施例提供一种应用于软性光电器件的基板，包括：一支撑载体；一第一材料层，以一第一面积覆盖该支撑载体；一第二材料层，以一第二面积覆盖该第一材料层与该支撑载体，其中该第二面积大于或等于该第一面积；以及一软性基板，以一第三面积覆盖该第二材料层、第一材料层与该支撑载体，其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。

本发明的一实施例提供一种应用于软性光电器件的基板的制造方法，包括下列步骤：提供一支撑载体；以一第一面积覆盖一第一材料层于该支撑载体上；以一第二面积覆盖一第二材料层于该第一材料层与该支撑载体上，其中该第二面积大于或等于该第一面积；以及以一第三面积覆盖一软性基板于该第二材料层、该第一材料层与该支撑载体上，其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。

本发明的优点在于：本发明提供的基板及其成型方法可通过现有半导体设备制作应用于软性光电器件(例如主动式软性显示器)。本发明将具有溶液态的基板材料、无机氧化物或氮化物材料、离型材料及玻璃共同制作成一特定多层基板。此基板可利用现有半导体等设备制作光电器件或显示器件，在完成该器件的所有制程后，利用切割方式沿基板的离型层两端或其内侧划断，即可轻易将该器件从玻璃上分离。又因该光电器件的另一侧有预先形成的一无机氧化或氮化层，可形成应力调控机制，进而达到应力平衡效果。其主要是利用溶液态基板材料与玻璃密着甚佳的特性，使成型于玻璃上的基板在制程中不会脱落，而离型材料与玻璃密着不良，故于完成所有器件制程及切除多余的基材后，可轻易将器件与玻璃分离，同时于离型层(第一材料层)与基板薄膜之间导入一适当面积大小的无机氧化物或氮化物层，可形成应力调控机制，达到应力平衡效果。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1是根据本发明的一实施例的一种应用于软性电子器件的基板剖面示意图；