[发明专利]应用于软性电子器件的基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200910163396.0 | 申请日: | 2009-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN101997087A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 吕奇明;黄月娟;曾永隆 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红;徐金国 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用于 软性 电子器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种应用于软性电子器件的基板,包括:
一支撑载体;
一第一材料层,以一第一面积覆盖该支撑载体;
一第二材料层,以一第二面积覆盖该第一材料层与该支撑载体,其中该第二面积大于或等于该第一面积;以及
一软性基板,以一第三面积覆盖该第二材料层、第一材料层与该支撑载体,其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。
2.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该支撑载体为玻璃或硅晶圆。
3.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该第一材料层对该支撑载体的密着度为0B,所述软性基板对所述支撑载体的密着度为1~5B。
4.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该第一材料层为聚对二甲苯或环烯共聚物的材料所构成的层。
5.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该第二材料层为无机氧化物、无机氮化物或金属的材料所构成的层。
6.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该第二材料层为氧化铝、氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该第二材料层的厚度为50~1000nm。
8.根据权利要求1所述的应用于软性电子器件的基板,其中该软性基板为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚酰亚胺。
9.根据权利要求8所述的应用于软性电子器件的基板,其中该聚酰亚胺具有下列化学式:
其中
A为X与Y为氢、甲基、三氟甲基、羟基、-OR、溴、氯或碘,R为碳数1~18的烷基,Z为-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH2-Ar-、-Ar-C(CH3)2-Ar-或-Ar-SO2-Ar-,Ar为苯环;
B为X与Y为氢、甲基、三氟甲基、羟基、-OR、溴、氯或碘,R为碳数1~18的烷基,Z为-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH2-Ar-、-Ar-C(CH3)2-Ar-或-Ar-SO2-Ar-,Ar为苯环;以及
n为大于1的整数。
10.根据权利要求8所述的应用于软性电子器件的基板,其中该软性基板还包括一硅氧烷化合物或二氧化硅。
11.一种应用于软性电子器件的基板的制造方法,包括:
提供一支撑载体;
以一第一面积覆盖一第一材料层于该支撑载体上;
以一第二面积覆盖一第二材料层于该第一材料层与该支撑载体上,其中该第二面积大于或等于该第一面积;以及
以一第三面积覆盖一软性基板于该第二材料层、该第一材料层与该支撑载体上,其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。
12.根据权利要求11所述的应用于软性电子器件的基板的制造方法,还包括以该第一材料层的两端点或其内侧为切除点,切除部分该软性基板与该支撑载体,以分离该第一材料层与该软性基板与该支撑载体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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