[发明专利]太阳能电池的制造方法与制造设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，特别涉及一种可提高太阳能的光电转换效率且可避免蚀刻技术危险性的太阳能电池的制造方法。

背景技术

一般太阳能电池为了提高太阳能的光电转换效率，于制作过程中通常会将光源经过的基板层以蚀刻方式将上述基板层表面制成凹凸不平的表面，以使光源于上述基板层表面反射后还是反射进入该基板层，以降低光源反射离开太阳能电池的比例。

但是，上述太阳能电池的制程中，通常以高腐蚀性的化学原料将基板层表面蚀刻成凹凸不平的外形，此就是一般俗称的蚀刻制程，由于使用的化学原料腐蚀性极高，毒性极强，所以过程中不只危险性较高，且蚀刻程序的成本也较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种安全性较高且可以降低生产成本的太阳能电池的制造方法。

本发明的另一目的是提供一种安全性较高且可以降低生产成本的太阳能电池的制造设备。

本太阳能电池的制造方法，包含以下步骤：

于一透明基板顶面沉积一硅氧化物层；

于该硅氧化物层顶面上方溅镀一第一电极层；

于第一电极层顶面成型一光电转换单元；及

于该光电转换单元顶面溅镀一第二电极层；

以常压等离子辅助化学气相沉积法于透明基板顶面沉积该硅氧化物层，且沉积的硅氧化物层顶面是呈凹凸不平的表面。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，以常压等离子辅助化学气相沉积法沉积硅氧化物层的厚度范围为50纳米至200纳米。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，该硅氧化物层的材质是二氧化硅。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，于该硅氧化物层顶面的第一电极层是一层透明导电薄膜。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，该第一电极层的材质是铟锡氧化物、氧化锌镓、氧化铝锌或掺杂锑与氟的氧化铟锡。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，常压等离子辅助化学气相沉积法中，一前驱物种类是用六甲基二硅胺、四乙氧基硅烷或六甲基硅氧烷。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，常压等离子辅助化学气相沉积法中，透明基板温度范围是摄氏25度至250度。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，常压等离子辅助化学气相沉积法中的一个喷嘴移动速度是50毫米/分钟至250毫米/分钟，喷嘴出口与透明基板距离是2毫米至20毫米，节距是1毫米至6毫米。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，常压等离子辅助化学气相沉积法中等离子气流流量是10标准公升/分钟至80标准公升/分钟，前驱物气流流量是10标准立方厘米/分钟至150标准立方厘米/分钟，电压是400伏特至800伏特。

本发明太阳能电池的制造设备适用于一透明基板上成型所述太阳能电池，制造设备包含：一清洗所述透明基板顶面的清洗机、一于所述透明基板顶面沉积一层硅氧化物层的沉积装置、一将硅氧化物层顶面的粉尘清除的超声波清洗机、一于该硅氧化物层顶面成型一层第一电极层的第一溅镀装置、一于第一电极层顶面上产生一光电转换单元的光电膜成型装置、及一于该光电转换单元顶面成型一层第二电极层的第二溅镀装置；

该沉积装置是一常压等离子辅助化学气相沉积装置。

本发明的有益效果在于：利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法，于所述透明基板表面上产生一层表面凹凸不平的硅氧化物层，以提升太阳能的光电转换效率，且利用常压等离子辅助化学气相沉积装置与方法，使制程中可避免蚀刻制程的危险性，并可降低制程的成本。

附图说明

图1是本发明太阳能电池的制造方法的较佳实施例的流程图；

图2是该较佳实施例制作出的太阳能电池的侧面剖视图；及

图3是本发明太阳能电池的制造设备的较佳实施例的方块示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。

参阅图1、图2与图3，本发明太阳能电池的制造方法的较佳实施例包含以下步骤：

(A)将一透明基板21的表面清洗干净。

(B)于一透明基板21顶面以常压等离子辅助化学气相沉积法沉积一硅氧化物层22，且沉积的硅氧化物层22顶面呈凹凸不平的表面。其中该硅氧化物层22的材质是二氧化硅，且硅氧化物层22的厚度范围为50纳米至200纳米。

(C)将硅氧化物层22顶面的粉尘清除。