[发明专利]太阳能电池的制造方法与制造设备

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，包含以下步骤：

于一块透明基板顶面沉积一层硅氧化物层；

于该硅氧化物层顶面上方溅镀一层第一电极层；

于第一电极层顶面成型一层光电转换单元；及

于该光电转换单元顶面溅镀一层第二电极层；

其特征在于，以常压等离子辅助化学气相沉积法于透明基板顶面沉积该硅氧化物层，且沉积的硅氧化物层顶面呈凹凸不平的表面。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，以常压等离子辅助化学气相沉积法沉积硅氧化物层的厚度范围为50纳米至200纳米。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该硅氧化物层的材质是二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，于该硅氧化物层顶面的第一电极层是一层透明导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一电极层的材质是铟锡氧化物、氧化锌镓、氧化铝锌或掺杂锑与氟的氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，常压等离子辅助化学气相沉积法中，一前驱物种类是用六甲基二硅胺、四乙氧基硅烷或六甲基硅氧烷。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，常压等离子辅助化学气相沉积法中，透明基板温度范围是摄氏25度至250度。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，常压等离子辅助化学气相沉积法中的一个喷嘴移动速度是50毫米/分钟至250毫米/分钟，喷嘴出口与透明基板距离是2毫米至20毫米，节距是1毫米至6毫米。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，常压等离子辅助化学气相沉积法中等离子气流流量是10标准公升/分钟至80标准公升/分钟，前驱物气流流量是10标准立方厘米/分钟至150标准立方厘米/分钟，电压是400伏特至800伏特。

10.一种太阳能电池的制造设备，适用于一块透明基板上成型所述太阳能电池，制造设备包含：一个清洗所述透明基板顶面的清洗机、一个于所述透明基板顶面沉积一层硅氧化物层的沉积装置、一个将硅氧化物层顶面的粉尘清除的超声波清洗机、一个于该硅氧化物层顶面成型一层第一电极层的第一溅镀装置、一个于第一电极层顶面上产生一光电转换单元的光电膜成型装置、及一个于该光电转换单元顶面成型一层第二电极层的第二溅镀装置；

其特征在于，该沉积装置是一个常压等离子辅助化学气相沉积装置。