[发明专利]非隔离DC/DC控制电路及转换器无效
| 申请号: | 200910161003.2 | 申请日: | 2009-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN101599696A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 陈林峰 | 申请(专利权)人: | 福建星网锐捷网络有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 350015福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 隔离 dc 控制电路 转换器 | ||
1.一种非隔离DC/DC控制电路,用于控制两个开关器件交替开通和关断 来进行DC/DC转换,其特征在于,该电路包括:
电压检测单元,用于检测每一开关器件两端的压差信号;
内部控制逻辑单元,用于提供指示每一开关器件开通和关断的逻辑控制信 号,其中在提供指示其中一个开关器件关断的逻辑控制信号后,根据另一开关 器件两端的压差信号,确定在压差信号为小于或等于0.3V的时刻开始提供指 示该另一开关器件开通的逻辑控制信号;
驱动单元,用于根据所述逻辑控制信号提供驱动两个开关器件交替开通和 关断的驱动信号。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述电压检测单元包括并联连接在其中一开关器件两端的第一电压比较 器,及并联连接在另一开关器件两端的第二电压比较器。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,
所述电压检测单元包括并联连接在其中一开关器件两端的第一过零检测 器,及并联连接在另一开关器件两端的第二过零检测器。
4.一种非隔离DC/DC转换器,其特征在于,该转换器包括:
权利要求1所述的非隔离DC/DC控制电路;
与所述非隔离DC/DC控制电路中的驱动单元连接、在所述驱动信号的驱 动下交替开通和关断的两个开关器件。
5.如权利要求4所述的非隔离DC/DC转换器,其特征在于,
所述非隔离DC/DC控制电路中的电压检测单元包括并联连接在其中一开 关器件两端的第一电压比较器,及并联连接在另一开关器件两端的第二电压比 较器。
6.如权利要求4所述的非隔离DC/DC转换器,其特征在于,
所述电压检测单元包括并联连接在其中一开关器件两端的第一过零检测 器,及并联连接在另一开关器件两端的第二过零检测器。
7.如权利要求4所述的非隔离DC/DC转换器,其特征在于,该转换器还 包括:
输出单元,用于将经DC/DC转换后的输出直流电压进行稳压后提供给负 载;
电压反馈单元,用于采样经DC/DC转换后的输出直流电压并反馈到内部 控制逻辑单元。
8.如权利要求7所述的非隔离DC/DC转换器,其特征在于,
所述两个开关器件分别为串联连接的第一金属氧化层半导体场效晶体管 和第二金属氧化层半导体场效晶体管;
所述驱动单元包括为第一金属氧化层半导体场效晶体管提供驱动信号的 第一驱动子单元,及为第二金属氧化层半导体场效晶体管提供驱动信号的第二 驱动子单元;
第一金属氧化层半导体场效晶体管的源极与输入直流电压连接,栅极与第 一驱动子单元连接,漏极与第二金属氧化层半导体场效晶体管的源极连接;
第二金属氧化层半导体场效晶体管的栅极与第二驱动子单元连接,漏极与 参考地电压连接;
所述输出单元,并联连接在第二金属氧化层半导体场效晶体管的源极和漏 极,包括串联连接的电压元件和电容元件,所述电容元件两端并联连接负载。
9.一种非隔离DC/DC控制电路提供逻辑控制信号的时序控制方法,用于 确定提供指示每一开关器件开通和关断的逻辑控制信号的时序,其特征在于,
通过采集经DC/DC转换后的输出直流电压确定开始提供指示每一开关器 件关断的逻辑控制信号的时刻;
在提供指示一开关器件关断的逻辑控制信号后,通过采集另一开关器件两 端的压差信号,确定在压差信号为小于或等于0.3V的时刻开始提供指示该另 一开关器件开通的逻辑控制信号。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,
根据所述压差信号在所述另一开关器件两端的功耗达到最小的时刻开始 提供指示该另一开关器件开通的逻辑控制信号。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,
在所述另一开关器件两端的压差信号为零的时刻开始提供指示该另一开 关器件开通的逻辑控制信号。
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