[发明专利]薄膜器件、薄膜器件的制造方法及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及具备薄膜元件(例如薄膜晶体管)、其他薄膜体的薄膜器件以及具备薄膜器件的电子设备。

背景技术

作为半导体元件等的薄膜体(叠层体)的形成方法已知采用转印技术的方法。例如，由特开平10-125929号公报(专利文献1)、特开平10-125930号公报(专利文献2)、特开平10-125931号公报(专利文献3)，公开了如下技术：预先在转印源基板上通过剥离层形成薄膜晶体管等的被转印体，其后，将被转印层接合于转印目的基板，通过在剥离层进行光照射等而发生分离，将被转印体从转印源基板转印于转印目的基板。如果依照于该技术，则能够在例如塑料基板、具有柔性的片状基板等难以直接形成薄膜元件等的基板上容易地形成薄膜元件。并且，也可以使制造条件不相同的多种薄膜元件、薄膜电路等在分别以最佳的条件形成于转印源基板之后向转印目的基板移动。

在采用如上述的转印技术制造薄膜器件的情况下，在使薄膜元件等的结构性的上下关系(膜的叠层顺序等)与形成于转印源基板上的状态相同地向转印目的基板移动时需要2次转印过程。具体地，首先形成于转印源基板上的薄膜元件等暂时向临时基板转印。在该时间点，临时基板上的薄膜元件等的结构性的上下关系，变得与转印源基板上的状态相反。其后，临时基板上的薄膜元件等向转印目的基板上转印。由此，转印目的基板上的薄膜元件等的结构性的上下关系变得与转印源基板上的情况相同。

可是，在经过上述的2次转印过程制造薄膜器件的情况下，因为转印过程的次数增多所以有在叠层体产生由应力等导致的损伤、断裂等的转印不良的概率升高的不良状况。相对于此，在保留1次转印过程的情况下，因为转印目的基板上的薄膜元件等的结构性的上下关系变得与转印源基板上的情况相反，所以认为在器件结构方面需要特别的窍门等的不便。从而，期望能避免这些现有技术的不妥的新颖的技术。

专利文献1：日本特开平10-125929号公报；

专利文献2：日本特开平10-125930号公报；

专利文献3：日本特开平10-125931号公报。

发明内容

本发明中的具体方式，目的之一为：克服上述的现有技术具有的问题，提供柔性的薄膜器件。

并且，本发明中的具体方式，目的之一为：克服上述的现有技术具有的问题，提供柔性的薄膜器件的制造技术。

本发明中的薄膜器件的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成分离层；在前述分离层上，形成粘土为主要成分并包含具有层状的晶体结构的硅酸盐矿物质的支持层；在前述支持层上形成薄膜体；通过对前述分离层给予能量，使前述基板与前述支持层的粘合力降低；和将前述基板从前述支持层及前述薄膜体去除。

在此，在本说明书中所谓“薄膜体”，是指使导体、半导体、绝缘体等的薄膜适当组合所构成而起规定的功能的结构体。作为如此的薄膜体，例如，可举出：薄膜晶体管、薄膜二极管、其他薄膜元件、使它们组合形成的薄膜电路，电极(例如：ITO，如台面膜的透明电极)，用于太阳能电池、图像传感器等的光电变换元件，存储元件，压电元件等的致动器，微镜(压电薄膜陶瓷)，磁记录介质、光磁记录介质、光记录介质等的记录介质，磁记录薄膜磁头，线圈、电感器、薄膜高导磁材料及使它们组合的微磁器件，滤色器、反射膜、分色镜、偏振元件等的光学薄膜，半导体薄膜，超导薄膜(例如：YBCO薄膜)，磁性薄膜，金属多层薄膜，金属陶瓷多层薄膜，金属半导体多层薄膜，陶瓷半导体多层薄膜，有机薄膜和其他物质的多层薄膜等。

如果依照于本发明中的薄膜器件的制造方法，则可得到作为独立的支持体采用了粘土为主要成分并包含具有层状的晶体结构的硅酸盐矿物质的支持层的柔性的薄膜器件。因为不用经过如上述的现有技术地使暂时形成于基板上的薄膜器件向其他基板移动的转印过程，即可得到由柔性的支持体所支持的薄膜器件，所以可以避免因转印过程的次数增多导致的不良状况、因薄膜元件等的结构性的上下关系发生反转导致的不良状况。

在上述的本发明中的薄膜器件的制造方法中，也优选：在形成前述支持层的步骤之后、形成前述薄膜体的步骤之前，进一步包括形成覆盖前述支持层的保护层的步骤。

由此，即使在支持层包括某些异物的情况下，也能得到对该异物向薄膜体混入进行抑制的结构。

并且，也优选：在形成前述支持层的步骤中，前述支持层，俯视形成于比前述基板的外缘靠内侧；在形成前述保护层的步骤中，前述保护层，形成为覆盖前述支持层的不与前述分离层接触的侧的面及端部的状态。