[发明专利]薄膜器件、薄膜器件的制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种薄膜器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成分离层；

在前述分离层上，形成粘土为主要成分并包含具有层状的晶体结构的硅酸盐矿物质的支持层；

在前述支持层上形成薄膜体；

通过对前述分离层给予能量，使前述基板与前述支持层的粘合力降低；和

将前述基板从前述支持层及前述薄膜体去除。

2.按照权利要求1所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于：

在形成前述支持层的步骤之后、形成前述薄膜体的步骤之前，进一步包括形成覆盖前述支持层的保护层的步骤。

3.按照权利要求2所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于：

在形成前述支持层的步骤中，前述支持层，俯视形成于比前述基板的外缘靠内侧；

在形成前述保护层的步骤中，前述保护层，形成为覆盖前述支持层的不与前述分离层接触的侧的面及端部的状态。

4.按照权利要求2或3所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于：

前述保护层，包括氮氧化硅膜和氧化铝膜中的至少一方。

5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于：

形成前述支持层的步骤，通过铸造法形成前述支持层。

6.一种薄膜器件，其特征在于，包括：

粘土为主要成分并包含具有层状的晶体结构的硅酸盐矿物质的支持层；和

设置于前述支持层上的薄膜体。

7.一种薄膜器件，其特征在于，包括：

粘土为主要成分并包含具有层状的晶体结构的硅酸盐矿物质的支持层；

覆盖前述支持层的保护层；和

设置于前述保护层上的薄膜体。

8.按照权利要求7所述的薄膜器件，其特征在于：

前述保护层，设置为覆盖前述支持层的一面及端部的状态。

9.按照权利要求7或8所述的薄膜器件，其特征在于：

前述保护层，包括氮氧化硅膜和氧化铝膜中的至少一方。

10.一种电子设备，其特征在于，具备：

按照权利要求6～9中的任何一项所述的薄膜器件。