[发明专利]晶片结构及晶片处理方法

权利要求书

1.一种晶片结构，包含：

多个芯片，呈阵列排列，各该芯片间的相邻区域定义为一切割道；

多个金属垫，形成于该切割道上；

一保护层，形成于这些芯片与该切割道上，并覆盖这些金属垫；以及

一绝缘层，形成于该切割道的该保护层上，并且至少局部覆盖这些金属垫。

2.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层是沿该切割道延伸并完全覆盖这些金属垫。

3.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层是沿该切割道延伸并覆盖这些金属垫的相对二侧边。

4.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层包含多个绝缘区块并完全覆盖这些金属垫。

5.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层包含多个绝缘区块并沿平行该切割道的一延伸方向上形成，且该绝缘层覆盖这些金属垫的相对二侧边。

6.根据权利要求1所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层的厚度不小于该保护层的厚度的1.5倍。

7.一种晶片结构，包含：

多个芯片，呈阵列排列，各该芯片间的相邻区域定义为一切割道，自该切割道的一表面至各该芯片的一上表面间的各该芯片的一侧表面界定出一垂直壁；

多个金属垫，形成于该切割道上；

一保护层，形成于这些芯片与该切割道上，并覆盖这些金属垫；以及

一绝缘层，形成于该切割道的该保护层上，该绝缘层是位于这些金属垫与这些芯片之间，并至少覆盖各该芯片的该垂直壁。

8.根据权利要求7所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层是环绕各该芯片的四边而形成。

9.根据权利要求7所述的晶片结构，其特征在于该绝缘层的厚度不小于该保护层的厚度的1.5倍。

10.一种晶片处理方法，包含下列步骤：

提供一晶片，该晶片具有多个芯片，这些芯片是呈阵列排列，各该芯片间的相邻区域定义为一切割道，该切割道上具有多个金属垫，而这些芯片与该切割道上形成有一保护层以覆盖这些金属垫；

形成一绝缘层于该切割道的该保护层上，该绝缘层至少局部覆盖这些金属垫；以及

沿该切割道切割该晶片以形成多个单独的芯片，并至少局部移除这些金属垫。

11.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是沿该切割道延伸并完全覆盖这些金属垫。

12.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是沿该切割道延伸并覆盖这些金属垫的相对二侧边。

13.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是图案化形成多个绝缘区块以完全覆盖这些金属垫。

14.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是沿平行该切割道的一延伸方向图案化形成多个绝缘区块，以覆盖这些金属垫的相对二侧边。

15.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于该绝缘层的厚度不小于该保护层的厚度的1.5倍。

16.根据权利要求10所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是由旋转涂布法、印刷法或贴附干膜法所形成。

17.一种晶片处理方法，包含下列步骤：

提供一晶片，该晶片具有多个芯片，这些芯片是呈阵列排列，各该芯片间的相邻区域定义为一切割道，自该切割道的一表面至各该芯片的一上表面间的各该芯片的一侧表面界定出一垂直壁，该切割道上具有多个金属垫，而这些芯片与该切割道上形成有一保护层以覆盖这些金属垫；

形成一绝缘层于该切割道的该保护层上，该绝缘层是位于这些金属垫与这些芯片之间，并至少覆盖各该芯片的该垂直壁；以及

沿该切割道切割该晶片以形成多个单独的芯片，并至少局部移除这些金属垫。

18.根据权利要求17所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是环绕各该芯片的四边而形成。

19.根据权利要求17所述的晶片处理方法，其特征在于该绝缘层的厚度不小于该保护层的厚度的1.5倍。

20.根据权利要求17所述的晶片处理方法，其特征在于形成该绝缘层的步骤是由旋转涂布法、印刷法或贴附干膜法所形成。