[发明专利]引线框架的电镀方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种引线框架的制造方法，特别是涉及一种表面局部电镀的引线框架的电镀方法。

背景技术：

集成电路的引线框架(比如行业通用型号QFN--方型扁平无引脚封装、QFP--四侧引脚扁平封装等)是制造集成电路半导体元件的基本部件。为满足制造集成电路半导体元件的需求，集成电路的引线框架表面的局部区域需电镀金属银或镍钯金，其余部分不要求有镀层，否则无法满足制造集成电路半导体元件的需求，所以集成电路引线框架进行电镀时需要用电镀掩膜对其表面不需要进行电镀的部分进行保护。现有技术集成电路引线框架的电镀方法(如图1所示的工序图)为：贴干膜；曝光；显影；电镀；退干膜，而这种电镀方法采用全涂干膜加曝光和显影的工艺步骤，来形成电镀掩膜，但是由于干膜的价格较高，且在工艺过程中需要在集成电路引线框架的表面全贴干膜，在进行曝光显影去掉需电镀区对应的干膜，则干膜的用量大，所以电镀的成本很高，不利于引线框架的批量生产；同时由于引线框架的侧边无法进行贴干膜，电镀时容易被镀上镀层，这就容易造成电路的短路，导致成品率较低。

发明内容：

本发明的目的是为解决以上技术问题，提供一种电镀成本较低，有利于批量生产且成品率高的引线框架的电镀方法。

本发明的技术方案是：一种引线框架的电镀方法，它包括以下步骤：

①.准备湿菲林溶液，所述的湿菲林溶液的浓度为55％～75％；

②.将引线框架接上导线后，放入湿菲林溶液中进行电镀，电镀时间为10～15秒，温度为40℃～60℃，电镀后引线框架的四周表面均被镀上菲林膜层；

③.将电镀后的引线框架用清水进行清洗，并烘干，烘干温度为90℃～110℃，时间为30～90秒；

④.对烘干后的引线框架进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为15～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～45℃；

⑤.对曝光后的引线框架进行显影，显影时间为120～180秒，显影后用清水冲洗并晾干；

⑥.将步骤⑤处理完的引线框架接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干；

⑦.对电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒去膜水去除菲林膜层，喷洒时间150～450秒，温度为50℃～70℃；

⑧.将步骤⑦处理完的引线框架用清水清洗完，并晾干即可。

与现有技术相比，本发明由于在引线框架电镀金属层前使用了电镀菲林来对引线框架进行掩膜处理，这就使得引线框架的侧边也被镀上了掩膜，则在曝光显影后进行的电镀金属层时就无法将金属镀层镀上引线框架的侧边，保证引线框架的电镀质量；同时菲林的价格要低于干膜的价格。因此本发明电镀成本较低，有利于批量生产且成品率高。

附图说明：

图1为现有技术引线框架的电镀方法的工序示意图。

图2为本发明引线框架的电镀方法的工序示意图。

具体实施方式：

下面结合具体实施实例说明，但本发明不仅限于以下具体实施实例：

实施例1

①.准备湿菲林溶液5，所述的湿菲林溶液5的浓度为55％，菲林是美国罗门哈斯公司生产的型号为EAGLE^TM 2100 ED PHOTORESIST；

②.将引线框架1接上导线后，如图2(a)所示放入湿菲林溶液5中进行电镀，电镀时间为10～12秒，温度为40℃～50℃，如图2(b)所示电镀后引线框架1的四周表面均被镀上菲林膜层6；

③.将电镀后的引线框架1用清水进行清洗，并烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为90℃～100℃，时间为80～90秒；

④.对烘干后的引线框架1进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，如图2(c)所示曝光时在引线框架1的上下表面放上玻璃掩膜3，玻璃掩膜3上设有遮光部3a，遮光部3a用遮挡曝光时的光线防止对应的菲林膜层6曝光，曝光时间为20～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～25℃；

⑤.对曝光后的引线框架1进行显影，显影时间为120～140秒，显影后用清水冲洗并晾干，显影液是美国罗门哈斯公司生产的型号为EAGLE^TM 2005 DEVELOPER，则如图2(d)所示，可以除去菲林膜层6未被光线照射到的部分，达到精密掩膜的目的；