[发明专利]引线框架的电镀方法有效
| 申请号： | 200910154585.1 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101707185A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 郑康定;邓道斌;马叶军 | 申请（专利权）人： | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C25D9/02 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人： | 高辉 |
| 地址： | 315105 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线 框架 电镀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：
①.准备湿菲林溶液(5)，所述的湿菲林溶液(5)的浓度为55％～75％；
②.将引线框架(1)接上导线后，放入湿菲林溶液(5)中进行电镀，电镀时间为10～15秒，温度为40℃～60℃，电镀后引线框架(1)的四周表面均被镀上菲林膜层(6)；
③.将电镀后的引线框架(1)用清水进行清洗，并烘干，烘干温度为90℃～110℃，时间为30～90秒；
④.对烘干后的引线框架(1)进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为15～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～45℃；
⑤.对曝光后的引线框架(1)进行显影，显影时间为120～180秒，显影后用清水冲洗并晾干；
⑥.将步骤⑤处理完的引线框架(1)接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干；
⑦.对电镀完的引线框架(1)进行退膜处理，喷洒去膜水去除菲林膜层(6)，喷洒时间150～450秒，温度为50℃～70℃；
⑧.将步骤⑦处理完的引线框架(1)用清水清洗完，并晾干即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
