[发明专利]绝缘涂料,它的制造方法和包括它的制品无效
| 申请号: | 200910149112.2 | 申请日: | 2009-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN101604707A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
| 发明(设计)人: | B·A·科尔瓦尔;J·N·约翰逊;T·米巴赫;H·A·布莱德斯;J·E·皮克特 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;孙秀武 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘 涂料 制造 方法 包括 制品 | ||
背景技术
[0001]本公开物涉及绝缘涂料,它的制造方法和包括它的制品
[0002]光致电压设备,即,太阳能电池,能够将太阳辐射转化成可 使用的电能。能量转换是由于所谓的光电效应所导致。照射在太阳能电 池上并且被半导体材料的活性区域吸收的太阳辐射会产生电。因为每一 个电池本身产生仅仅少量的电力,所需要的电压和/或电流是通过将独立 电池以串联或并联方式互联来达到的。为了提供所需要的电压或电流, 一个阵列能够包括几百或几千个电池。
[0003]具有许多个太阳能电池的组件使用许多的电互联。理想地, 该互联过程与电池制造过程相整合,即“单块整合”,这样,联结的太 阳能电池不至于过高成本或笨重。
[0004]市场上商购的太阳能电池在绝缘基材上如玻璃或塑料上使用 光活性材料。玻璃基材是绝缘的并有利于在玻璃基板上整体单块太阳能 电池的形成。玻璃基材也能够承受高温和因此与高温、低成本的生产方 法相适应,从而形成半导体层,如包括CuInxGa(1-x)Se2(CIGS)或CdTe的 那些。然而,玻璃基材不是柔性的并容易破裂,因此限制了它们的工业 适用性。塑料基材也已经考虑由于太阳能电池中。塑料基材是柔性的和 绝缘的,并且还可以允许太阳能电池的单块集成,但无法承受高温,因 此排除了它们在牵涉到高温的制造方法中的使用。
[0005]因此希望具有绝缘的、能够承受高温并且是机械柔性的太阳 能电池基材。
发明简述
[0006]在这里公开的是制品,它包括金属基材;绝缘层,该绝缘层 是在膨胀的热等离子体中被布置在金属层上;和半导体层,该半导体层 被布置在绝缘层上。
[0007]在这里公开的还有方法,该方法包括将绝缘层布置在金属基 材上;绝缘层与金属层密切接触;其中绝缘层是从金属-有机前体形成的, 和其中绝缘层在膨胀的热等离子体中沉积而成的;和将半导体层布置在 绝缘层上。
[0008]所公开实施方案的这些和其它结构特征,方面和优点在参考 下面的叙述和所附权利要求之后可以得到更好地理解。
附图简述
[0009]所公开的主题在说明书之前的权利要求书中特别指出和明白 地要求。所公开的实施方案的以上和其它目的,特征和优点在结合附图 的情况下可从下面的详细说明清楚地看出,其中:
[0010]该图是在柔性金属基材上制造的太阳能电池的示意性剖视 图。
[0011]详细说明参考附图来举例解释优选的实施方案,还有优点和 特征。
发明详述
[0012]术语“the”,“a”和“an”没有表示量的限制,而是表示 所谈到的项目中至少一种的存在。在这里使用的词尾“s”用于包括它 所修饰的术语的单数和复数,因此包括该术语的至少一种(例如, “colorant(s)(着色剂)”包括至少一种着色剂)。
[0013]除非另外有定义,否则这里所使用的全部技术和科学术语具 有本发明所属于的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同意义。
[0014]在这里使用的术语“第一”,“第二”等等没有表示任何顺 序或重要性,而是用来将一个要素与另一个要素区分开。
[0015]在这里使用的近似语言能够用于修饰发生变化的任何定量性 表示,但不会导致它所涉及的基本功能的改变。因此,在一些情况下, 由术语如“约”和“基本上”修饰的值不能限于指定的精确值。在至少 一些情况下,该近似语言能够对应于用于测量数值的仪器的精度。因此, 与量关联使用的修饰语“约”是包括所声称的值在内的并且具有由本文 规定的意义(例如包括与具体量的测量有关的误差程度)。
[0016]“±10%”表示法在意义上指,所指明的测量值能够是所声 称的值减去10%的量到所声称的值加上10%的量。此外,在这里公开的 全部范围是包括端点的并且独立地组合。涉及到同一组分或性能的全部 范围的端点是包括端值的并且可以独立地组合(例如,“低于或等于约 25wt%,或更具体地说,约5wt%至约20wt%”的范围包括端点以及“约 5wt%-约25wt%”等等之类的范围的全部中间值)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





