[发明专利]绝缘涂料,它的制造方法和包括它的制品

权利要求书

1.制品100，它包括：

金属基材10；

绝缘层20；该绝缘层20是在膨胀的热等离子体中被布置在金属基 材10上；和

半导体层40；该半导体层40被布置在绝缘层上。

2.权利要求1的制品100，其中金属有机前体在膨胀的热等离子体 中使用和其中金属-有机前体包括硅，锗，钛，铅或锡。

3.权利要求2的制品100，其中金属-有机前体具有通式(1)的结构：

R¹_nSiZ_(4-n)     (1)

其中R¹表示一价烃基或卤化一价烃基，Z表示可水解的基团，和n是在 0和2之间变化；或其中金属-有机前体具有通式(2)的结构：

R²Si(OH)₃    (2)

其中R²选自包括约1个-约3个碳原子的烷基，乙烯基，3，3，3-三氟丙基， γ-环氧丙氧基丙基和γ-甲基丙烯酰氧基丙基；或其中金属-有机前体具 有通式(3)的结构：

其中各R能够是相同的或不同的且独立地是氢，甲基，乙基或丙基；和 n是2到8的整数。

4.权利要求2的制品100，其中金属-有机前体是八甲基环四硅氧烷。

5.权利要求1的制品100，其中绝缘层20包括硅，钛，锡，铅，或 锗。

6.权利要求1的制品100，其中绝缘层20在大于或等于约500℃的 温度下保留它的绝缘性质。

7.权利要求5和6中任何一项的制品100，其中绝缘层20用作扩散 阻隔层和其中绝缘层20与金属基材10的粗糙度共形状。

8.包括以下步骤的方法：

将绝缘层20布置在金属基材10上；绝缘层20与金属基材10紧密 接触；其中绝缘层20是从金属-有机前体形成的，和其中绝缘层20是在 膨胀的热等离子体中沉积的；和

将半导体层40布置在绝缘层20上。

9.权利要求8的方法，其中绝缘层20通过使用蒸气相来沉积。