[发明专利]光感测器及相应的薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光感测器的制造方法，尤其涉及一种应用于液晶显示器之薄膜晶体管(TFT)基板的光感测器的制造方法以及相应的薄膜晶体管基板的制造方法。

背景技术

随着科技的进步，液晶显示器因其具有高画质、体积小、重量轻及应用范围广等优点，而被广泛地应用在行动电话、笔记本电脑、桌上型显示装置以及电视等各种消费性电子产品中，并已经逐渐取代传统的阴极射线管显示器而成为显示器的主流。

触控技术是一种新的人机互动的技术，而将触控技术与液晶显示器整合在一起从而使液晶显示器具有触控功能是目前一种流行的趋势。现有的具有触控功能的液晶显示器一般是将光感测器设置在薄膜晶体管基板的每个像素内，从而感应其是否被触摸。

请参阅图1A-1I，其揭示了现有的一种具有触控功能的液晶显示器的薄膜晶体管基板的制造方法。上述薄膜晶体管基板的制造方法包括以下步骤：首先，如图1A所示，提供衬底11，且衬底11分成薄膜晶体管区域10以及光感测器区域20，其中液晶显示器的薄膜晶体管设置在薄膜晶体管区域10内，而光感测器设置在光感测器区域20内。其中，光感测器可为环境光感测器(Ambient Light Sensor，ALS)，用以侦测环境光以判断像素是否被触摸。然后，在衬底11的薄膜晶体管区域10上形成薄膜晶体管的栅极12，其中栅极12的形成可包括在衬底11上形成一金属层，对上述金属层进行微影制程，而微影制程包括涂覆光阻、曝光、显影、蚀刻以及去除光阻这一系列步骤。微影制程为本领域技术人员的熟知技术，在此不再详述。

然后，请参阅图1B，在上述结构上形成栅极绝缘层13、非晶硅(a-Si)层14以及掺杂多晶硅层15。请再一并参阅图1C-1D，形成金属层16，对金属层16进行微影制程从而薄膜晶体管的源极17、漏极18以及光感测器的第一导电层21，对掺杂多晶硅层15进行蚀刻从而形成源极区域以及漏极区域。然后，请参阅图1E，在光感测器的第一导电层21上形成富硅(Si-rich)绝缘层22，其中富硅绝缘层22可为富硅氧化层、富硅氮化层或者富硅氮氧化层等等以作为光感测器的发光层。请再参阅图1F，在上述结构上形成绝缘保护层23，且对绝缘保护层23进行微影制程从而在薄膜晶体管的漏极18上形成第一接触孔(未标示)，以及在光感测器的富硅绝缘层22上形成第二接触孔(未标示)以暴露出部分的漏极18以及部分的富硅绝缘层22。然后，请参阅图1G，透明导电层24形成在上述结构上且填充在第一接触孔及第二接触孔内。最后，请一并参阅图1H-1I，对透明导电层24进行微影制程从而形成像素电极19以及光感测器的第二导电层28。

但是，由于用于制造光感测器的透明导电层24是填充在第二接触孔内，而第二接触孔的边缘处具有如图1H所示的倾斜区域26具有倾斜的绝缘保护层23，因此，在对透明导电层24进行微影制程时，涂覆在该处的光阻25会因为倾斜的绝缘保护层23而产生回流(reflow)现象。则涂覆在该处的光阻25比较稀薄，在对透明导电层24进行蚀刻时，此处的透明导电层24容易被蚀刻掉从而造成光感测器的第二导电层28在倾斜区域26处断线。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不易于断线的光感测器的制造方法。

本发明的目的还在于提供一种不易于断线的薄膜晶体管基板的制造方法。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

本发明提供一种光感测器的制造方法，其包含：提供一衬底；在衬底上沉积一第一导电层；对第一导电层进行一第一微影制程从而形成一图案化的第一导电层；在图案化的第一导电层上形成一富硅绝缘层；沉积一绝缘保护层；对绝缘保护层进行一第二微影制程以暴露出部分的富硅绝缘层；沉积一第二导电层；以及对第二导电层进行一第三微影制程从而形成一图案化的第二导电层。其中，在进行第二微影制程时暴露出富硅绝缘层的一边缘以避免在进行第三微影制程时图案化的第二导电层出现断线。

本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包含：提供一衬底；在衬底上形成一薄膜晶体管的栅极；依次形成栅极绝缘层、非晶硅层及掺杂多晶硅层；形成一金属层，且对金属层进行一第一微影制程从而形成薄膜晶体管的源极、漏极以及一光感测器的一第一导电层；在光感测器的第一导电层上形成一富硅绝缘层；形成一绝缘保护层，且对绝缘保护层进行一第二微影制程从而在薄膜晶体管的漏极上形成一接触孔并暴露出部分的富硅绝缘层；以及形成一透明导电层，并对透明导电层进行一第三微影制程从而形成一像素电极及光感测器的一第二导电层。其中，在进行第二微影制程时暴露出富硅绝缘层的一边缘以避免在进行第三微影制程时光感测器的第二导电层出现断线。