[发明专利]光感测器及相应的薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种光感测器的制造方法，其特征在于其包含：

提供一衬底；

在该衬底上沉积一第一导电层；

对该第一导电层进行一第一微影制程从而形成一图案化的第一导电层；

在该图案化的第一导电层上形成一富硅(Si-rich)绝缘层；

沉积一绝缘保护层；

对该绝缘保护层进行一第二微影制程以暴露出部分的该富硅绝缘层；

沉积一第二导电层；以及

对该第二导电层进行一第三微影制程从而形成一图案化的第二导电层；

其中，在进行该第二微影制程时暴露出该富硅绝缘层的一边缘以避免在进行该第三微影制程时该图案化的第二导电层出现断线。

2.根据权利要求1所述的光感测器的制造方法，其特征在于该第一导电层为金属层。

3.根据权利要求1所述的光感测器的制造方法，其特征在于该第二导电层为透明导电层。

4.根据权利要求3所述的光感测器的制造方法，其特征在于该第二导电层采用氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)材质而成。

5.根据权利要求1所述的光感测器的制造方法，其特征在于该富硅绝缘层为富硅氧化层、富硅氮化层或者富硅氮氧化层。

6.根据权利要求1所述的光感测器的制造方法，其特征在于该富硅绝缘层未暴露出的另一边缘与靠近其的该绝缘保护层的一边缘之间的距离介于1～10000微米。

7.根据权利要求1所述的光感测器的制造方法，其特征在于该富硅绝缘层未暴露出的边缘靠近一薄膜晶体管(TFT)。

8.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于其包含：

提供一衬底；

在衬底上形成一薄膜晶体管的栅极；

依次形成栅极绝缘层、非晶硅层及掺杂多晶硅层；

形成一金属层，且对该金属层进行一第一微影制程从而形成该薄膜晶体管的源极、漏极以及一光感测器的一第一导电层；

在该光感测器的该第一导电层上形成一富硅绝缘层；

形成一绝缘保护层，且对该绝缘保护层进行一第二微影制程从而在薄膜晶体管的漏极上形成一接触孔并暴露出部分的该富硅绝缘层；以及

形成一透明导电层，并对透明导电层进行一第三微影制程从而形成一像素电极及该光感测器的一第二导电层；

其中，在进行该第二微影制程时暴露出该富硅绝缘层的一边缘以避免在进行该第三微影制程时该光感测器的该第二导电层出现断线。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于该富硅绝缘层未暴露出的另一边缘与该绝缘保护层的一边缘之间的距离介于1～10000微米。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于该富硅绝缘层为富硅氧化层、富硅氮化层或者富硅氮氧化层。