[发明专利]化学机械研磨用水系分散体、电路基板及其制造方法无效
| 申请号: | 200910145201.X | 申请日: | 2009-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN101597477A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 马场淳;仕田裕贵 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;H01L23/498;H01L21/48;H05K3/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 左嘉勋;刘继富 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械 研磨 水系 散体 路基 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于制造电路基板的化学机械研磨用水系分散体、使用该水系分散体的电路基板的制造方法、电路基板及多层电路基板。
背景技术
近年来,电子装置的小型化不断进展,对于构成电子装置的半导体装置、用于安装该半导体装置的电路基板,要求进一步的微细化及多层化。多层电路基板(被多层化的电路基板)一般层叠有多个形成有配线图案的电路基板,具有三维的配线结构。如果多层电路基板或电路基板的厚度不均匀、平坦性不充分,则有时在安装半导体装置时会发生接触不良的缺陷。因此,构成多层电路基板的各层电路基板必须以如下方式形成:使得在层叠各层电路基板而制成多层电路基板时,不发生凹凸、弯曲,使其具有均匀的厚度且表面平坦。
作为损害电路基板的平坦性的原因之一,可举出配线图案的凹凸。这样的凹凸在制造电路基板时多有发生。作为具有配线图案的电路基板的制造方法,例如有如下方法:在基板的表面形成与所期望的配线图案相对应的凹部,在该表面整体上用镀覆来形成导电层后,研磨基板的表面侧,仅使凹部残留有导电层。在这样的制造方法中,对于镀覆工序而言,有时配线图案的线宽越细,则该部分的镀覆厚度会变得越厚;另外,有时因配线图案的配线粗密而产生镀覆时的电流分布,因该分布,厚度会变得不均匀。因此,初期的镀覆厚度的不均匀会影响后面的研磨工序,结果有时损害电路基板的平坦性。另外,通过研磨来形成电路基板时,有时会产生凹陷(デイツシング)现象,即,形成于电路基板的配线图案的研磨面成为凹状。
上述研磨工序例如通过软皮(バフ)研磨进行。在专利文献1中公开了使用软皮磨光辊的研磨方法,使用了用粘合剂结合硬的研磨磨料形成的筒状软皮磨光辊。因此,对于这样的研磨方法而言,有如下缺点:电路基板的厚度容易产生不均匀,进而,导电层的表面容易产生伤痕(平坦性受损)。另外,在软皮研磨中,还提出了使用浆料的方法(例如参照专利文献2)。但是,该方法也因被研磨面的材质而导致研磨速度差大,未达到能够得到像在多层电路基板中使用的电路基板那样极高度的厚度均匀性、表面平坦性的技术水准。
专利文献1:日本特开2002-134920号公报
专利文献2:日本特开2003-257910号公报
发明内容
通过化学机械研磨进行研磨工序时,与其它研磨方法相比,平坦性良好。然而,以往的化学机械研磨的研磨速度小。特别是为了形成电路基板而应除去的配线材料的量多,因而有必要大幅提高化学机械研磨的研磨速度。这样,作为用于化学机械研磨电路基板的化学机械研磨用水系分散体的性能,不仅要求提高被研磨面的平坦性,还同时要求提高研磨速度。
本发明的目的之一是提供一种化学机械研磨用水系分散体,其很好地用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板,研磨铜或铜合金的速度非常高,且得到的电路基板的平坦性良好。
本发明的目的之一是提供一种平坦性良好的电路基板的制造方法,包含进行化学机械研磨的工序,在该工序中的研磨速度非常高。
本发明的目的之一是提供一种平坦性良好的电路基板、及层叠多个该电路基板的平坦性良好的多层电路基板。
本发明是为解决上述课题中的至少一部分而完成的,可以以下述方式或适用例来实现。
[适用例1]
本发明的化学机械研磨用水系分散体的一种方式的特征为,用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板,含有:
(A1)有机酸和有机酸盐中的至少1种、
(B1)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少1种、
(C1)氧化剂、和
(D1)磨料,
相对于所述化学机械研磨用水系分散体,所述(A1)成分的浓度MA1(质量%)和所述(D1)成分的浓度MD1(质量%)具有如下关系:MA1/MD1=1~30;
pH值为8~12。
[适用例2]
在适用例1中,进一步可以MA1=5~15(质量%)。
[适用例3]
在适用例1中,所述(A1)成分可以为甘氨酸。
[适用例4]
在适用例1中,所述(B1)成分可以为选自十二烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸钾和十二烷基苯磺酸铵中的至少1种。
[适用例5]
在适用例1中,所述(C1)成分可以为过氧化氢。
[适用例6]
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