[发明专利]化学机械研磨用水系分散体、电路基板及其制造方法无效
| 申请号: | 200910145201.X | 申请日: | 2009-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN101597477A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 马场淳;仕田裕贵 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;H01L23/498;H01L21/48;H05K3/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 左嘉勋;刘继富 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械 研磨 水系 散体 路基 及其 制造 方法 | ||
1.一种化学机械研磨用水系分散体,其特征在于,用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板,含有:
(A1)有机酸和有机酸盐中的至少1种、
(B1)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少1种、
(C1)氧化剂、和
(D1)磨料,
相对于所述化学机械研磨用水系分散体,所述(A1)成分的浓度MA1和所述(D1)成分的浓度MD1具有如下关系:MA1/MD1=1~30,其中,MA1和MD1的单位为质量%,
pH值为8~12。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,MA1=5~15质量%。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(A1)成分为甘氨酸。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(B1)成分为选自十二烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸钾和十二烷基苯磺酸铵中的至少1种。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(C1)成分为过氧化氢。
6.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(D1)成分为选自氧化硅粒子、碳酸钙粒子、有机聚合物粒子和有机无机复合粒子中的至少1种。
7.一种电路基板的制造方法,其特征在于,具有使用权利要求1~6中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体进行化学机械研磨的工序。
8.一种电路基板,其特征在于,是用权利要求7所述的制造方法制造的。
9.一种多层电路基板,其特征在于,层叠有多个权利要求8所述的电路基板。
10.一种化学机械研磨用水系分散体,其特征在于,用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板,含有:
(A2)有机酸、
(B2)含氮杂环化合物、
(C2)氧化剂、和
(D2)磨料,
相对于所述化学机械研磨用水系分散体,所述(A2)成分的浓度MA2和所述(D2)成分的浓度MD2具有如下关系:MA2/MD2=1~20,其中,MA2和MD2的单位为质量%,
pH值为1~5。
11.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,MA2=3~15质量%。
12.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(A2)有机酸为选自柠檬酸、甘氨酸、苹果酸、酒石酸和草酸中的至少1种。
13.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(B2)含氮杂环化合物为选自苯并三唑、三唑、咪唑和羧基苯并三唑中的至少1种。
14.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(C2)氧化剂为过氧化氢。
15.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(D2)磨料为选自氧化硅粒子、碳酸钙粒子、有机聚合物粒子和有机无机复合粒子中的至少1种。
16.一种电路基板的制造方法,其特征在于,具有使用权利要求10~15中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体进行化学机械研磨的工序。
17.一种电路基板,其特征在于,是用权利要求16所述的制造方法制造的。
18.一种多层电路基板,其特征在于,层叠有多个权利要求17所述的电路基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JSR株式会社,未经JSR株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910145201.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





