[发明专利]等离子体处理装置和其使用的处理气体供给装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对液晶显示器(Liquid Crystal Display)和场致发 光显示器(Electro-Luminescence Display)等平板显示器(Flat Panel Display)施行指定处理的等离子体处理装置和其使用的处理气体供给 装置。

背景技术

例如，在平板显示器用基板(以下称为“FPD用基板”)的表面形 成图案的工序中，施加蚀刻或溅涂、CVD(化学气象沉积)等等离子 体处理。施加这样的等离子体处理的等离子体处理装置，可以列举出 例如平行平板等离子体处理装置。

这种等离子体处理装置，将处理室内具有下部电极的载置台和兼 处理气体导入部的上部电极平行配置，经由上部电极把处理气体导入 处理室内，并且向至少一个电极施加高频电压，在电极间形成高频电 场，由该高频电场形成处理气体的等离子体，对FPD用基板施加等离 子体处理。

FPD用基板与半导体晶片不同，处理面积较大，所以为了从上部 电极将处理气体平均分散而供给到FPD用基板的整个表面，提出了多 种方案。例如，如专利文件1记载，将上部电极的中空部内分隔成中 央室和周边室的分隔壁，该中央室向基板的中央区域喷射处理气体， 该周边室向基板的周边区域喷射处理气体；例如，处理气体供给单元 由具有气体供给源的气箱等构成，使来自该处理气体供给单元的处理 气体分流并分别提供给中央室和周边室的分支管被连接，为了调整流 经各分支管的处理气体的流量，设有质量流控制器等流量调整单元。 由此，通过调整各分支管的流量调整单元，能够使提供给基板的中央 区域和周边区域的处理气体平均化。

专利文献：日本特开2007-324331号公报

由于对FPD用基板施加等离子体处理的上部电极是大型的，所以 在一般情况下，连接到中央室的分支管的长度，比连接到周边室的分 支管短。所以，连接中央室的分支管比连接周边室的分支管的导流功 能(易流程度)强，存在各分支管的管内压力不平均的问题。所以， 必须调整流量调整单元，使连接中央室的分支管的导流功能低于连接 周边室的分支管的导流功能，从而达到各分支管的管内压力平均化。 在这一点上，可以考虑用质量流控制器构成上述各分支管的流量调整 单元，调整流经分支管的处理气体的流量。

但是，如果用质量流控制器构成上述各分支管的流量调整单元， 在一般情况下构成处理气体供给单元的气箱也设有质量流控制器，所 以气箱的下游(也是质量流控制器的下游)的气压超过大气压。所以， 如果气箱下游的管道有损伤，可能会从管道内向空气中泄漏气体。因 此，为了防止这个问题，必须对管道结构加工，例如将各管道制成双 重结构等等。

在这一点上，通过利用例如针型阀等固定节流阀构成各分支管的 流量调整单元，能够使气箱下游的管道内的气压降到大气压以下，所 以管道即便有损伤也不会向空气中泄漏气体。

但是，用固定节流阀构成各分支管的流量调整单元的情况下，如 上所述，为了使连接中央室的分支管的导流功能低于连接周边室的分 支管的导流功能，必须减小并固定连接中央室的分支管的固定节流阀 的开度。因此，例如需要仅从上部电极的中央区域供给大流量的处理 气体而进行FPD基板处理时，存在无法保持充分的导流功能等无法对 FPD基板处理提供最适宜的处理气体的问题。

发明内容

本发明鉴于此类问题，目的为例如提供一种等离子体处理装置等， 能够在分流来自气箱等处理气体供给单元的处理气体，并将该气体独 立地提供给FPD基板的中央区域和周边区域的情况下，将处理气体供 给单元的下游的管道内的气压保持在大气压以下，对FPD基板处理提 供最适宜的处理气体。