[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：

一P-型衬底，具一第一P型掺杂浓度；

一N+型埋层，位于所述P-型衬底之上，所述N+型埋层具一第一N型掺杂浓度；

一N型外延层，位于所述N+型埋层之上，所述N型外延层具一第二N型掺杂浓度，所述第二N型掺杂浓度低于所述第一N型掺杂浓度；

一P型阱，位于所述N型外延层中，并接触到所述N+型埋层，所述P型阱包括一P型层，所述P型阱具一第一深度并具一第二P型掺杂浓度，所述第二P型掺杂浓度高于所述第一P型掺杂浓度，所述P型层具一第三P型掺杂浓度，且所述第三P型掺杂浓度高于所述第二P型掺杂浓度；

一N型阱，位于所述N型外延层中，所述N型阱具一第三N型掺杂浓度，所述第三N型掺杂浓度低于所述第一N型掺杂浓度且高于所述第二N型掺杂浓度；

一漏极区，位于所述N型阱中，所述漏极区包括由下而上依序堆栈的一高压N型漏极层以及一N+型漏极层，且所述N+型漏极层连接复数个漏极端，所述高压N型漏极层具一第四N型掺杂浓度，所述N+型漏极层具一第五N型掺杂浓度，所述第四N型掺杂浓度高于所述第三N型掺杂浓度，所述第五N型掺杂浓度高于所述第四N型掺杂浓度；

一源极区，位于所述P型阱的P型层中，所述源极区包括一高压N型源极层以及一N+型源极层，所述N+型源极层位于所述高压N型源极层内，所述高压N型源极层具所述第四N型掺杂浓度，所述N+型源极层具所述第五N型掺杂浓度，所述高压N型源极层具一第二深度，所述第二深度大于所述第一深度，且所述源极区连接复数个源极端；

一本体区，位于所述P型阱的P型层中，所述本体区包括P+型本体接触层，所述P+型本体接触层接触所述P型阱，所述P+型本体接触层具一第四P型掺杂浓度，所述第四P型掺杂浓度高于所述第三P型掺杂浓度，且所述P+型本体接触层连接复数个本体端；

一场氧化隔离区，位于所述漏极区与源极区之间，且在所述N型外延层中，所述场氧化隔离区包括由下而上依序堆栈的一厚氧化层隔离区以及一P型底部隔离层，所述P型底部隔离层具所述第三P型掺杂浓度；

一N型阱防护环，接触到所述N+型埋层并位于所述P型阱外而包围所述P型阱，且所述N型阱防护环不接触所述P型阱，所述N型阱防护环连接复数个防护环端，所述N型阱防护环具所述第三N型掺杂浓度；以及

一保护层，覆盖所述漏极区、源极区、本体区以及厚氧化层隔离区，且所述保护层具有复数个贯穿孔，使漏极端、源极端、本体端与防护环端连接到连接线路，所述保护层为一电气绝缘材料所构成。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其中所述第一P型掺杂浓度、第二P型掺杂浓度、第三P型掺杂浓度以及第四P型掺杂浓度为包含硼、铝、镓、铟的其中之一的浓度。

3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其中所述第一N型掺杂浓度、第二N型掺杂浓度、第三N型掺杂浓度、第四N型掺杂浓度以及第五N型掺杂浓度为包含氮、磷、砷、碲的其中之一的浓度。

4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其中所述电气绝缘材料包括氧化硅以及氮化硅的其中之一。