[发明专利]双极性装置

权利要求书

1.一种双极性装置，其特征在于，形成在一基底的一主动区 之中，该双极性装置，包括：

一第一射极，形成在该基底之中；

一第一集极，形成在该基底中，并与该第一射极侧向的分隔；

一第一栅极终端，设置在一第一间隔之上，该第一间隔是在 该第一射极与该第一集极之间；

一第一本质基极，定义在该第一栅极终端之下，并与该第一 射极与该第一集极形成一第一双极性结；

一第二射极，形成在该基底之中；

一第二集极，形成在该基底中，并与该第二射极侧向的分隔；

一第二栅极终端，设置在一第二间隔之上，该第二间隔是在 该第二射极与该第二集极之间；

一第二本质基极，定义在该第二栅极终端之下，并与该第二 射极与该第二集极形成一第二双极性结；

一共外质基极，用以调整并分隔该第一及第二集极，并且透 过该基底耦接该第一及第二本质基极；

一第一分隔区，用以分隔该第一集极与该共外质基极；以及

一第二分隔区，用以分隔该第二集极与该共外质基极；

其中，该共外质基极的一中间部分与该第一栅极终端之间的 距离不同于该共外质基极的一边缘部分与该第一栅极终端之间的 距离，该共外质基极的该中间部分与该第二栅极终端之间的距离 不同于该共外质基极的该边缘部分与该第二栅极终端之间的距 离。

2.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该第一 分隔区以及第二分隔区均为一阻碍层，用以阻碍硅化物的形成。

3.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该第一 分隔区以及第二分隔区均为一虚栅极。

4.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该共外 质基极的该中间部分与该第一栅极终端之间的距离小于该共外质 基极的该边缘部分与该第一栅极终端之间的距离。

5.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该共外 质基极的该中间部分与该第一栅极终端之间的距离大于该共外质 基极的该边缘部分与该第一栅极终端之间的距离。

6.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该共外 质基极的该中间部分与该第二栅极终端之间的距离小于该共外质 基极的该边缘部分与该第二栅极终端之间的距离。

7.根据权利要求1所述的双极性装置，其特征在于，该共外 质基极的该中间部分与该第二栅极终端之间的距离大于该共外质 基极的该边缘部分与该第二栅极终端之间的距离。

8.一种双极性装置，其特征在于，利用一互补金属氧化半导 体制程而形成在一基底的一主动区，该双极性装置，包括：

一共射极；

一第一集极，形成在该基底中，并与该共射极侧向的分隔；

一第一栅极终端，设置在一第一间隔之上，该第一间隔在该 共射极与该第一集极之间；

一第一本质基极，定义在该第一栅极终端之下，并与该共射 极以及该第一集极形成一第一双极性结；

一第一外质基极，用以调整并分隔该第一集极，并且透过该 基底耦接该第一本质基极；

一第二集极，形成在该基底中，并与该共射极侧向的分隔；

一第二栅极终端，设置在一第二间隔之上，该第二间隔在该 共射极与该第二集极之间；

一第二本质基极，定义在该第二栅极终端之下，并与该共射 极以及该第二集极形成一第二双极性结；

一第二外质基极，用以调整并分隔该第二集极，并且透过该 基底耦接该第二本质基极；

一第一分隔区，用以分隔该第一集极与该第一外质基极；以 及

一第二分隔区，用以分隔该第二集极与该第二外质基极；

其中，该第一外质基极的一边缘部分与该第一栅极终端之间 的距离不同于该第一外质基极的一中间部分与该第一栅极终端之 间的距离，该第二外质基极的一边缘部分与该第二栅极终端之间 的距离不同于该第二外质基极的一中间部分与该第二栅极终端之 间的距离。