[发明专利]集成电路封装结构及封装方法无效
申请号: | 200910141528.X | 申请日: | 2009-05-25 |
公开(公告)号: | CN101901799A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 邱耀弘;范淑惠;庄元立 | 申请(专利权)人: | 晟铭电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/48;H01L23/12;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 结构 方法 | ||
1.一种集成电路封装结构,其特征在于包含:
一电路基板;
一封装件,是设置于该电路基板上;
一黏着层,是附着于该封装件的外侧;以及
一金属薄膜,是贴附于该黏着层上,该金属薄膜是连接该电路基板。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一膜内装饰成形方式或一压差吸附贴合方式贴附于该黏着层上。
3.根据权利要求2所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的金属薄膜为一铜箔或一铝箔。
4.根据权利要求3所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一电解沉积方式或一滚轧压延方式所制成。
5.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一点焊、激光熔接或锡球点接的方式与该电路基板电性连接。
6.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的黏着层为一环氧树脂所制成。
7.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的黏着层与该金属薄膜的厚度为1至300μm
8.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的封装件是由一封装塑胶包覆一集成电路芯片所构成。
9.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于其中更具有一镀材,该镀材是设置于该金属薄膜的一侧。
10.根据权利要求9所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述镀材为不锈钢、镍、铬、钛、镍铬合金、铜合金或铝合金。
11.一种集成电路封装方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供一封装件,该封装件是设置于一电路基板上;
附着一黏着层至该封装件的外侧;以及
贴附一金属薄膜至该黏着层。
12.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于更包含电性连接该金属薄膜至该电路基板的步骤。
13.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一膜内装饰成形方式或一压差吸附贴合方式贴附于该黏着层上。
14.根据权利要求13所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的金属薄膜为一铜箔或一铝箔。
15.根据权利要求14所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一电解沉积方式或一滚轧压延方式所制成。
16.根据权利要求12所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一点焊、激光熔接或锡球点接的方式与该电路基板电性连接。
17.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的黏着层为一环氧树脂所制成。
18.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的黏着层与该金属薄膜的厚度为1至300μm。
19.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的封装件是由一封装塑胶包覆一集成电路芯片所构成。
20.根据权利要求11所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的金属薄膜是进行一表面后处理工艺,该表面后处理工艺是设置一镀材于该金属薄膜上。
21.根据权利要求20所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的表面后处理工艺为真空蒸镀、真空溅镀、真空离子镀、电镀或无电镀法。
22.根据权利要求20所述的集成电路封装方法,其特征在于其中所述的镀材为不锈钢、镍、铬、钛、镍铬合金、铜合金或铝合金。
23.一种集成电路封装结构,其特征在于包含:
一电路基板;
一封装件,是设置于该电路基板上;
一金属薄膜,是贴附于封装件上,该金属薄膜是连接该电路基板;以及
一黏着层,是附着于该金属薄膜及该封装件的外侧。
24.根据权利要求23所述的集成电路封装结构,其特征在于其中所述的金属薄膜是以一膜内装饰成形方式或一压差吸附贴合方式贴附于该黏着层上。
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