[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

MTJ器件，形成于半导体衬底之上并且包括磁膜；

上布线，形成于所述MTJ器件之上并且电耦合到所述MTJ器件；

第一氮化硅膜，形成于所述上布线上方；以及

第二氮化硅膜，形成于所述第一氮化硅膜上方，

其中所述第一氮化硅膜的密度低于所述第二氮化硅膜的密度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一氮化硅膜包括在所述MTJ器件部分上施以的拉伸 应力绝对值为300MPa或者更多的拉伸应力氮化硅膜，并且

其中所述第二氮化硅膜包括在所述MTJ器件部分上施以的压缩 应力绝对值为1,000MPa或者更多的压缩应力氮化硅膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二氮化硅膜包括厚度比所述第一氮化硅膜的厚度更 大的第二氮化硅膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述上布线部分包括：

主布线部分；以及

形成于所述主布线部分上方的包层，并且

其中所述第一氮化硅膜形成于所述包层上方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件包括形成于所述第二氮化硅膜上方并且在 平面图中覆盖所述上布线部分的包层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件还包括形成为覆盖所述MTJ器件部分的层 间电介质膜，

其中所述层间电介质膜具有包括整个MTJ器件部分的第一电介 质区和形成于所述第一电介质区上方的第二电介质区，

其中所述上布线部分包括：

主布线部分，形成为以穿过所述第一电介质区的方式有选 择地嵌入到所述第二电介质区中并且电耦合到所述MTJ器件部分； 以及

包层，形成于所述主布线部分上方，并且

其中所述第一氮化硅膜形成于包括未形成所述上布线部分的在 所述上布线部分附近的区域的所述第二电介质区上方。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述上布线部分包括主布线部分，并且

其中所述第一氮化硅膜形成于所述主布线部分上方。

8.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

(a)在半导体衬底上方有选择地形成包括磁膜的MTJ器件部 分；

(b)在所述MTJ器件部分之上形成上布线部分以便电耦合到所 述MTJ器件部分；

(c)在所述上布线部分及其附近区域上方形成第一氮化硅膜； 并且

(d)在所述第一氮化硅膜上方形成第二氮化硅膜，

其中所述步骤(c)包括形成用以在所述MTJ器件部分上施以拉 伸应力的拉伸应力氮化硅膜作为所述第一氮化硅膜的步骤，并且

其中所述步骤(d)包括形成用以在所述MTJ器件部分上施以压 缩应力的压缩应力氮化硅膜作为所述第二氮化硅膜的步骤。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中所述步骤 (c)和(d)中的每一个都包括通过满足350℃或者更低的温度条件 而执行的步骤。

10.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，还包括以下 步骤：

(e)在所述步骤(b)之后、在所述步骤(c)之前，用还原气 体施加等离子体处理。

11.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中所述步 骤(c)和(d)中的每一个都包括在射频功率为0.4W/cm²或者更低 的膜形成条件之下应用CVD方法的步骤。