[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 200910141079.9 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101587893A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 山口博史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
1.一种功率半导体装置，具备：
具有主表面的半导体衬底；以及
形成在所述半导体衬底上的立式功率器件的多个单元结构，
其中，
所述主表面的中央部内的所述单元结构的配置间距与所述主表面 的外周部内的所述单元结构的配置间距相同，
所述多个单元结构中的位于所述主表面的中央部的一个单元结构 构成为，具有：比所述多个单元结构中的位于所述主表面的外周部的其 它单元结构的通电能力低的通电能力。
2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的阈值电压 大的阈值电压。
3.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的沟道宽度 小的沟道宽度。
4.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的沟道长度 大的沟道长度。
5.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个是具有发射极区 域的IGBT，
所述一个单元结构的所述发射极区域构成为，具有：比所述其它单 元结构的所述发射极区域的扩散电阻大的扩散电阻。
6.一种功率半导体装置，具备：
具有主表面的半导体衬底；以及
形成在所述半导体衬底上的立式功率器件的多个单元结构，
其中，
所述主表面的中央部内的所述单元结构的配置间距与所述主表面 的外周部内的所述单元结构的配置间距相同，
所述多个单元结构中的位于所述主表面的金属线接合部的正下方 的一个单元结构构成为，具有：比所述多个单元结构中的位于所述金属 线接合部的正下方以外的位置的其它单元结构的通电能力低的通电能 力。
7.如权利要求6所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的阈值电压 大的阈值电压。
8.如权利要求6所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的沟道宽度 小的沟道宽度。
9.如权利要求6所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个具有：绝缘栅型场 效应晶体管部，
所述一个单元结构构成为，具有：比所述其它单元结构的沟道长度 大的沟道长度。
10.如权利要求6所述的功率半导体装置，其中，
所述一个单元结构和所述其它单元结构的每一个是具有发射极区 域的IGBT，
所述一个单元结构的所述发射极区域构成为，具有：比所述其它单 元结构的所述发射极区域的扩散电阻大的扩散电阻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
