[发明专利]晶体管、半导体器件和制造晶体管、半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一晶体管，包括形成在基底的第一区域上的第一氧化物半导体层与第 一叠层结构，其中，第一氧化物半导体层具有第一源极区、第一漏极区以及 位于第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区，第一叠层结构包括堆叠在 第一沟道区上的第一栅极绝缘层和第一栅电极；

第二晶体管，包括形成在基底的第二区域上的第二氧化物半导体层与第 二叠层结构，其中，第二氧化物半导体层具有第二源极区、第二漏极区以及 位于第二源极区和第二漏极区之间的第二沟道区，第二叠层结构包括堆叠在 第二沟道区上的第二栅极绝缘层和第二栅电极，

其中，第一源极区和第一漏极区中的每个具有富铟表面区，富铟表面区 的电导率比第一源极区和第一漏极区的其它区域的电导率高，

其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层是不同的类型，第一 绝缘材料层和第二绝缘材料层在第二晶体管下方顺序地设置在基板的第二区 域上，

其中，第一绝缘材料层由与第一栅极绝缘层的材料相同的材料形成，第 二绝缘材料层为蚀刻停止层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

底栅电极，布置在第一沟道区和第二沟道区中的至少一个的下方。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一氧化物半导体层和第二 氧化物半导体层中的至少一个具有包括顺序堆叠的至少两层的多层结构。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述至少两层中的第一层是 ZnO基氧化物层。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述至少两层中的第二层包 含：氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铝锌、氧化镓锌中的至少一种；前述氧化物 的组合；或者电导率比所述至少两层中的第一层的电导率大的氧化物。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一源极区、第一漏极区、 第二源极区和第二漏极区具有等离子体处理过的区域。

7.一种制造包括至少两个晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括以 下步骤：

形成第一晶体管，包括以下步骤：在基底的第一区域上形成第一氧化物 半导体层；形成包括堆叠在第一氧化物半导体层上的第一栅极绝缘层和第一 栅电极的第一叠层结构；在第一氧化物半导体层的设置在第一叠层结构的两 侧上的部分中形成第一源极区和第一漏极区；

形成第二晶体管，包括以下步骤：在基底的第二区域上形成第二氧化物 半导体层；形成包括堆叠在第二氧化物半导体层上的第二栅极绝缘层和第二 栅电极的第二叠层结构；在第二氧化物半导体层的设置在第二叠层结构的两 侧上的部分中形成第二源极区和第二漏极区，

其中，将第一源极区和第一漏极区中的每个形成为具有富铟表面区，富 铟表面区的电导率比第一源极区和第一漏极区的其它区域的电导率高，

其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层是不同的类型，形成 第一叠层结构的步骤包括以下步骤：

形成覆盖第一氧化物半导体层的第一栅极绝缘材料层；

在第一栅极绝缘材料层上形成蚀刻停止层；

在基底的所述第二区域的蚀刻停止层上形成第二氧化物半导体层；

在蚀刻停止层上形成覆盖第二氧化物半导体层的第二栅极绝缘材料层；

从所述第一区域顺序地去除第二栅极绝缘材料层和蚀刻停止层；

在第一栅极绝缘材料层上形成第一栅电极材料层；

将第一栅电极材料层和第一栅极绝缘材料层图案化，其中，

在所述第一区域的第一栅极绝缘材料层和所述第二区域的第二栅极绝缘 材料层上形成第一栅电极材料层，

将所述第二区域的第一栅电极材料层和第二栅极绝缘材料层图案化，以 在第二氧化物半导体层上形成第二叠层结构。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层中的至少一个的下方形成 底栅电极。

9.如权利要求7所述的方法，其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物 半导体层中的至少一个形成为包括至少两层的多层结构。