[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910140902.4 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101582411A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 原田刚史;柴田润一;植木彰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
在所述半导体基板之上形成的第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜内形成的第一配线；
在所述第一层间绝缘膜之上及所述第一配线之上形成的衬垫绝缘膜；
在所述衬垫绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜；
在所述第二层间绝缘膜内形成的第二配线；
形成于所述衬垫绝缘膜内及所述第二层间绝缘膜内且将所述第一配 线和所述第二配线电连接的过孔；
在形成于相邻的所述第一配线之间的空隙内形成的气隙，
所述衬垫绝缘膜为下层的第一衬垫绝缘膜与上层的第二衬垫绝缘膜 的层叠膜，
在所述空隙的底面及侧壁形成有所述第二衬垫绝缘膜，
在过孔周边区域形成的所述衬垫绝缘膜的膜厚比在所述第一配线之 上及所述第一层间绝缘膜之上的所述过孔周边区域的外侧形成的所述衬 垫绝缘膜的膜厚厚。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
在所述半导体基板之上形成的第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜内形成的第一配线；
在所述第一层间绝缘膜之上及所述第一配线之上形成的衬垫绝缘膜；
在所述衬垫绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜；
在所述第二层间绝缘膜内形成的第二配线；
形成于所述衬垫绝缘膜内及所述第二层间绝缘膜内且将所述第一配 线和所述第二配线电连接的过孔，
在过孔周边区域形成的所述衬垫绝缘膜的膜厚比在所述第一配线之 上及所述第一层间绝缘膜之上的所述过孔周边区域的外侧形成的所述衬 垫绝缘膜的膜厚厚，
当将相邻的所述第一配线的间隔的最小值设为d时，在所述过孔周边 区域的外侧形成的所述衬垫绝缘膜中，在相邻的所述第一配线的间隔为2d 以上的部分上形成的所述衬垫绝缘膜比在相邻的所述第一配线的间隔不 足2d的部分上形成的所述衬垫绝缘膜厚。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述衬垫绝缘膜为下层的第一衬垫绝缘膜与上层的第二衬垫绝缘膜 的层叠膜。
4.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
在所述半导体基板之上形成的第一层间绝缘膜；
在所述第一层间绝缘膜内形成的第一配线；
在所述第一层间绝缘膜之上及所述第一配线之上形成的衬垫绝缘膜；
在所述衬垫绝缘膜之上形成的第二层间绝缘膜；
在所述第二层间绝缘膜内形成的第二配线；
形成于所述衬垫绝缘膜内及所述第二层间绝缘膜内且将所述第一配 线和所述第二配线电连接的过孔，
在过孔周边区域形成的所述衬垫绝缘膜的膜厚比在所述第一配线之 上及所述第一层间绝缘膜之上的所述过孔周边区域的外侧形成的所述衬 垫绝缘膜的膜厚厚，
在所述第一层间绝缘膜的上表面中所述过孔周边区域的外侧存在有 所述第一配线的宽度变化的、所述第一配线弯曲的或所述第一配线分支的 第一部分，
在所述过孔周边区域的外侧形成的所述衬垫绝缘膜中，在所述第一部 分上形成的所述衬垫绝缘膜比在所述第一部分以外的部分上形成的所述 衬垫绝缘膜厚。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述衬垫绝缘膜为下层的第一衬垫绝缘膜与上层的第二衬垫绝缘膜 的层叠膜。
6.根据权利要求1、3、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一衬垫绝缘膜未在所述过孔周边区域的外侧形成。
7.根据权利要求1、3、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一衬垫绝缘膜的拉伸弹性模量为40GPa以上。
8.根据权利要求1、3、5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二衬垫绝缘膜的相对介电常数为4.5以下。
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