[发明专利]太阳电池的制造方法无效
| 申请号: | 200910140366.8 | 申请日: | 2009-07-17 | 
| 公开(公告)号: | CN101887929A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 | 
| 发明(设计)人: | 许闰成;金东洙;朴胜一;李万根 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳电池 制造 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及太阳电池的制造方法,特别涉及在太阳电池的制造工艺中,通过改善用来有效捕捉入射光的表面织构化工艺,适于在批量生产中使用,并提高生产效率的太阳电池的制造方法。
背景技术:
通常,太阳电池是吸收光能后产生电荷(空穴、电子),并将此电荷(空穴、电子)分离及收集后向外提供电能的装置。即,太阳电池通过由外部引进的光,在太阳电池的半导体内形成电子-空穴对(Ecletron Hole Pair)。在这种电子-空穴对中,电子在pn结所产生的电场作用下向n型半导体处移动,而空穴则向p型半导体处移动,从而生产电力。
针对这种太阳电池,作为提高效率的一种方法,可采用基板表面的织构化(surface texturing)方法来最大限度地吸收光线。这种基板表面的织构化通常采用照片平版印刷(photolithography)工艺。
为了实现基板表面的织构化,目前使用的照片平版印刷工艺(S100)如图9所示,在经过清洗的基板上涂敷光刻胶(S101)后,烘烤所述光刻胶(S103),之后在紫外线下曝光(S105)后硬烤光刻胶(S107),并包括显影(S109)、蚀刻(S111)及去除光刻胶(S113)等工序。
这种照片平版印刷工艺在基板的表面织构化过程中,制造工序长、生产成本大,因此难以在批量生产中应用。
技术内容:
本发明是为了解决上述问题而提出的。本发明的目的是提供一种通过使用可应用在批量生产中的基板表面的织构化工艺,来缩短制造工序,并节省生产成本,从而可进行批量生产的太阳电池的制造方法。
为达到上述目的,本发明提出以下技术方案。本发明的太阳电池制造方法包括以下步骤:清洗基板;在清洗完基板后,对基板进行表面织构化;对基板进行表面织构化后,对基板掺入杂质并使之扩散;对基板掺入杂质并使之扩散后,在基板上涂敷抗反射膜;在基板上涂敷完抗反射膜后,形成金属电极;在形成金属电极后,使边缘电极短路;其中,对基板进行表面织构化的步骤包括以下步骤:用压印工艺在基板上压印预定形状的阴罩;在基板上压印阴罩后,蚀刻基板;蚀刻完基板后,去除阴罩。
其中,用压印工艺在基板上压印阴罩的步骤可使用具有图案并粘有阴罩液的印模,对基板进行压印。
而且,用压印工艺在基板上压印阴罩的步骤可在基板一面上涂敷阴罩液后,使之与具有图案的印模接触而形成具有预定图案的阴罩。
压印出的阴罩可为格子状。
压印出的阴罩可由彼此间相隔预定距离的多个圆形结构组成。
所述阴罩的直径或线宽可为0.05μm-2μm。
所述阴罩可由光刻胶制成。
所述阴罩可由电子束抗蚀剂制成。
所述印模可为平板或辊轮。
所述基板可由结晶硅制成。
本发明在太阳电池的制造过程中,通过压印(imprint)工艺实现表面织构化(Surface texturing process),从而缩短制造工序,节省制造成本,便于批量生产。
附图说明:
图1是本发明的太阳电池制造方法流程图,用来说明本发明实施例。
图2是按顺序表示表面织构化工艺(Surface texturing process)的示意图,用来说明本发明实施例。
图3是在本发明实施例所提供的表面织构化工艺中所使用装置的简要示意图。
图4和图5是用来说明本发明另一实施例的示意图。
图6是在一个表面上印有格子状阴罩的基板示意图,用来说明本发明实施例。
图7是图6中基板上已完成表面织构化状态的示意图,用来说明本发明的实施例。
图8是在基板上压印阴罩的另一实施例的示意图。
图9是传统的太阳电池制造方法流程图。
具体实施方式:
下面参照附图详细说明本发明的优选实施例。
图1是太阳电池的制造方法流程图,用来说明本发明实施例。
本发明实施例所提供的太阳电池制造方法包括步骤:清洗基板(S1);对基板进行表面织构化(surface texturing)(S3);对基板掺入杂质并使之扩散(S5);涂敷抗反射膜(S7);形成金属电极(S9);使边缘电极短路(S11)。
本发明实施例中的基板(substrate)优选使用结晶硅。但是本发明的实施例中基板并不限于使用结晶硅,根据情况可以应用用于薄膜形硅太阳电池中的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





