[发明专利]包括驱动晶体管的半导体装置有效
| 申请号: | 200910140192.5 | 申请日: | 2009-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN101626021A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
| 发明(设计)人: | 李世薰;李忠浩;崔晶东;金泰瑢;金宇中;张桐熏;尹永培;金基玄;刘民胎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李 佳;穆德骏 |
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 驱动 晶体管 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
在衬底中限定的驱动有源区,所述驱动有源区包括公共部分和第 一分支部分、第二分支部分以及第三分支部分,所述第一分支部分至 第三分支部分从所述公共部分延伸并且被相互间隔开;
分别跨越所述第一分支部分、所述第二分支部分和所述第三分支 部分的第一驱动栅极图案、第二驱动栅极图案以及第三驱动栅极图案;
被设置在至少所述公共部分中的公共源极/漏极;以及
第一单独源极/漏极、第二单独源极/漏极和第三单独源极/漏极, 分别被设置在所述第一驱动栅极图案、所述第二驱动栅极图案和所述 第三驱动栅极图案的一侧处的所述第一分支部分、所述第二分支部分 和所述第三分支部分中,所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极 被相互间隔开。
2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括在所述衬底的单元区 中设置的第一单元串、第二单元串以及第三单元串,
其中,所述第一单元串包括被电连接到所述第一单独源极/漏极的 栅极线;
所述第二单元串包括被电连接到所述第二单独源极/漏极的栅极 线;以及
所述第三单元串包括被电连接到所述第三单独源极/漏极的栅极 线。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一单元串至第 三单元串中的每一个包括第一选择线、多个单元栅极线以及第二选择 栅极线;以及
被电连接到所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极的所述 栅极线具有相同的类型。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,沿着第一方向顺序地 布置所述第一分支部分、所述公共部分以及所述第三分支部分;以及
沿着与所述第一方向垂直的第二方向顺序地布置所述公共部分和 所述第二分支部分。
5.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:
第一接合传导图案,被设置在所述第一单独源极/漏极上并且平行 于所述第一驱动栅极图案;
第二接合传导图案,被设置在所述第二单独源极/漏极上并且平行 于所述第二驱动栅极图案;
第三接合传导图案,被设置在所述第三单独源极/漏极上并且平行 于所述第三驱动栅极图案;以及
公共接合传导图案,被设置在所述公共源极/漏极上。
6.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:
分别被电连接到所述第一单独源极/漏极、第二单独源极/漏极和第 三单独源极/漏极的第一互连线、第二互连线以及第三互连线;以及
被电连接到所述公共源极/漏极的驱动线。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述驱动有源区包括第四分支部分,所述第四分支部分从所述公 共部分延伸并且与所述第一分支部分至第三分支部分间隔开;以及
所述半导体装置还包括:
跨越所述第四分支部分的第四驱动栅极图案;以及
第四单独源极/漏极,被设置在所述第四驱动栅极图案的一侧处的 第四分支部分中并且与所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极 间隔开。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中:
沿着第一方向顺序地布置所述第一分支部分、所述公共部分以及 所述第三分支部分;以及
沿着与所述第一方向垂直的第二方向顺序地布置所述第二分支部 分、所述公共部分以及所述第四分支部分。
9.如权利要求7所述的半导体装置,还包括:
被设置在所述衬底的单元区中的第一单元串、第二单元串、第三 单元串以及第四单元串,
其中,所述第一单元串包括被电连接到所述第一单独源极/漏极的 栅极线;
所述第二单元串包括被电连接到所述第二单独源极/漏极的栅极 线;
所述第三单元串包括被电连接到所述第三单独源极/漏极的栅极 线;以及
所述第四单元串包括被电连接到所述第四单独源极/漏极的栅极 线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





