[发明专利]包括驱动晶体管的半导体装置有效

专利信息
申请号: 200910140192.5 申请日: 2009-07-10
公开(公告)号: CN101626021A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 李世薰;李忠浩;崔晶东;金泰瑢;金宇中;张桐熏;尹永培;金基玄;刘民胎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L29/78;H01L29/417
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 李 佳;穆德骏
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 包括 驱动 晶体管 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

在衬底中限定的驱动有源区,所述驱动有源区包括公共部分和第 一分支部分、第二分支部分以及第三分支部分,所述第一分支部分至 第三分支部分从所述公共部分延伸并且被相互间隔开;

分别跨越所述第一分支部分、所述第二分支部分和所述第三分支 部分的第一驱动栅极图案、第二驱动栅极图案以及第三驱动栅极图案;

被设置在至少所述公共部分中的公共源极/漏极;以及

第一单独源极/漏极、第二单独源极/漏极和第三单独源极/漏极, 分别被设置在所述第一驱动栅极图案、所述第二驱动栅极图案和所述 第三驱动栅极图案的一侧处的所述第一分支部分、所述第二分支部分 和所述第三分支部分中,所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极 被相互间隔开。

2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括在所述衬底的单元区 中设置的第一单元串、第二单元串以及第三单元串,

其中,所述第一单元串包括被电连接到所述第一单独源极/漏极的 栅极线;

所述第二单元串包括被电连接到所述第二单独源极/漏极的栅极 线;以及

所述第三单元串包括被电连接到所述第三单独源极/漏极的栅极 线。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一单元串至第 三单元串中的每一个包括第一选择线、多个单元栅极线以及第二选择 栅极线;以及

被电连接到所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极的所述 栅极线具有相同的类型。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,沿着第一方向顺序地 布置所述第一分支部分、所述公共部分以及所述第三分支部分;以及

沿着与所述第一方向垂直的第二方向顺序地布置所述公共部分和 所述第二分支部分。

5.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:

第一接合传导图案,被设置在所述第一单独源极/漏极上并且平行 于所述第一驱动栅极图案;

第二接合传导图案,被设置在所述第二单独源极/漏极上并且平行 于所述第二驱动栅极图案;

第三接合传导图案,被设置在所述第三单独源极/漏极上并且平行 于所述第三驱动栅极图案;以及

公共接合传导图案,被设置在所述公共源极/漏极上。

6.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:

分别被电连接到所述第一单独源极/漏极、第二单独源极/漏极和第 三单独源极/漏极的第一互连线、第二互连线以及第三互连线;以及

被电连接到所述公共源极/漏极的驱动线。

7.如权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述驱动有源区包括第四分支部分,所述第四分支部分从所述公 共部分延伸并且与所述第一分支部分至第三分支部分间隔开;以及

所述半导体装置还包括:

跨越所述第四分支部分的第四驱动栅极图案;以及

第四单独源极/漏极,被设置在所述第四驱动栅极图案的一侧处的 第四分支部分中并且与所述第一单独源极/漏极至第三单独源极/漏极 间隔开。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其中:

沿着第一方向顺序地布置所述第一分支部分、所述公共部分以及 所述第三分支部分;以及

沿着与所述第一方向垂直的第二方向顺序地布置所述第二分支部 分、所述公共部分以及所述第四分支部分。

9.如权利要求7所述的半导体装置,还包括:

被设置在所述衬底的单元区中的第一单元串、第二单元串、第三 单元串以及第四单元串,

其中,所述第一单元串包括被电连接到所述第一单独源极/漏极的 栅极线;

所述第二单元串包括被电连接到所述第二单独源极/漏极的栅极 线;

所述第三单元串包括被电连接到所述第三单独源极/漏极的栅极 线;以及

所述第四单元串包括被电连接到所述第四单独源极/漏极的栅极 线。

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