[发明专利]包括驱动晶体管的半导体装置

说明书

相关申请的交叉引用

本美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求2008年7 月11日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2008-0067702 的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

在此描述的本发明涉及一种半导体装置，更具体而言，涉 及一种包括驱动晶体管的半导体装置。

背景技术

半导体装置包括用于存储数据的存储器装置、用于处理数 据和执行计算的逻辑装置以及用于同时执行各种功能的混合装置。存 储器装置的类型包括如果电源中断则丢失其存储数据的易失性存储器 装置和如果去除电源仍保持其存储数据的非易失性存储器装置。

对高度集成的半导体装置的要求已提高很多，然而，如果 通过简单的按比例缩小来将半导体装置高度集成，则可能存在各种限 制。例如，如果将最小线宽缩小至几十纳米，则用于制造半导体装置 的工艺裕度会变得缩小。另外，可能难以使半导体装置中的具有各种 功能的单个组件(例如装置中的各种驱动电路和/或存储器单元)的所 有特性最优化。

发明内容

本发明提供一种针对高度集成而最优化的包括驱动晶体 管的半导体装置。

本发明还提供一种针对高度集成而最优化的包括驱动晶 体管和存储器单元的半导体装置。

根据本发明的一方面，一种半导体装置可以包括在衬底中 限定的驱动有源区和在驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所 述至少三个驱动晶体管共享一个公共源极/漏极；所述至少三个驱动晶 体管分别包括至少三个单独源极/漏极；所述至少三个单独源极/漏极相 互独立，并且所述公共源极/漏极和所述至少三个单独源极/漏极被设置 在驱动有源区中。

在某些实施例中，驱动有源区可以包括公共部分和至少三 个分支部分。分支部分可以从公共部分延伸并且可以相互间隔开。分 别地，公共源极/漏极可以设置在至少公共部分中，并且单独源极/漏极 可以设置在分支部分中。每个驱动晶体管可以包括驱动栅极图案，该 驱动栅极图案设置在单独源极/漏极与公共源极/漏极之间的分支部分 上。

在某些实施例中，半导体装置还可以包括分别与至少三个 驱动晶体管相对应的至少三个单元串。每个单元串可以包括第一选择 栅极线、多个单元栅极线以及第二选择栅极线，其中，第一选择栅极 线、多个单元栅极线以及第二选择栅极线中的一个被电连接到单独源 极/漏极中的每一个。

在某些实施例中，驱动晶体管控制高于电源电压的驱动电 压。

根据本发明的另一方面，一种半导体装置可以包括：驱动 有源区，其被限定在衬底中，该驱动有源区包括公共部分及第一分支 部分、第二分支部分以及第三分支部分，第一至第三分支部分从所述 公共部分延伸并相互间隔开；第一驱动栅极图案、第二驱动栅极图案 以及第三驱动栅极图案，其分别与第一分支部分、第二分支部分和第 三分支部分交叉；公共源极/漏极，其设置在至少公共部分中；以及第 一单独源极/漏极、第二单独源极/漏极和第三单独源极/漏极，其分别设 置在第一、第二和第三驱动栅极图案的一侧处的第一、第二和第三分 支部分中，第一至第三单独源极/漏极相互间隔开。

在某些实施例中，半导体装置还可以包括在衬底的单元区 中设置的第一单元串、第二单元串以及第三单元串，其中，第一单元 串包括电连接到第一单独源极/漏极的栅极线；第二单元串包括被电连 接到第二单独源极/漏极的栅极线；以及第三单元串包括被电连接到第 三单独源极/漏极的栅极线。

在某些实施例中，第一至第三单元串中的每一个可以包括 第一选择线、多个单元栅极线以及第二选择栅极线，并且被电连接到 第一至第三单独源极/漏极的栅极线可以具有相同的类型。

在某些实施例中，可以沿着第一方向顺序地布置第一分支 部分、公共部分以及第三分支部分，并且可以沿着与第一方向垂直的 第二方向顺序地布置公共部分和第二分支部分。

在某些实施例中，半导体装置还可以包括：第一接合 (landing)传导图案，其设置在第一单独源极/漏极上并且平行于第一 驱动栅极图案；第二接合传导图案，其设置在第二单独源极/漏极上并 且平行于第二驱动栅极图案；第三接合传导图案，其设置在第三单独 源极/漏极上并且平行于第三驱动栅极图案；以及公共接合传导图案， 其设置在公共源极/漏极上。