[发明专利]用于制造外延半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200910139123.2 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101575701A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | R·绍尔;C·哈格尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 外延 半导体 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用于制造经外延涂布的半导体晶片的方法，其中提供一个至少在 其正面上经抛光的半导体晶片，放在单晶片外延反应器中的基座上，并 利用化学气相沉积于1000至1200℃的温度下在其经抛光的正面上施加 外延层，由此进行涂布，其特征在于，在实施外延涂布之后在1200℃至 900℃的温度范围内以小于5℃/s的速率冷却该半导体晶片，在达到900℃ 的温度之后，以5℃/s或更高的速率冷却所述半导体晶片。
2.根据权利要求1的方法，其中在1200至900℃的温度范围内以 等于或小于3℃/s的速率冷却所述半导体晶片。
3.根据权利要求2的方法，其中在1200至1000℃的温度范围内以 等于或小于1.5℃/s的速率冷却所述半导体晶片。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
